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TIP35C 参数 Datasheet PDF下载

TIP35C图片预览
型号: TIP35C
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内容描述: 其他芯片高?功率晶体管 [Complementary Silicon High?Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 6 页 / 81 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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TIP35A , TIP35B , TIP35C ( NPN ) ; TIP36A , TIP36B , TIP36C ( PNP )
125
PD ,功耗(瓦)
100
75
50
25
0
0
25
50
75
125
100
T
C
,外壳温度( ° C)
150
175
图1.功率降额
开启时间
+2.0 V
0
t
r
20纳秒
−11.0 V
V
CC
R
L
10
R
B
−30 V
3.0
关断时间
+9.0 V
V
CC
R
L
10
R
B
−30 V
3.0
TO SCOPE
t
r
20纳秒
TO SCOPE
t
r
20纳秒
0
−11.0 V
t
r
20纳秒
10至100
mS
占空比
2.0%
10至100
ms
占空比
2.0%
针对图曲线3 & 4,R
B
&放大器; ř
L
是多种多样的。
输入电平大致如图所示。
适用于NPN ,翻转所有的极性。
V
BB
+4.0 V
图2.开关时间等效测试电路
2.0
1.0
0.7
0.5
T, TIME (
μ
s)
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.3
t
d
( PNP)
( NPN )
t
r
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 30 V
V
BE (OFF)的
= 2 V
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
,集电极电流(安培)
20
30
图3.开启时间
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3