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TIP32C 参数 Datasheet PDF下载

TIP32C图片预览
型号: TIP32C
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内容描述: 互补硅塑料功率晶体管 [Complementary Silicon Plastic Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 87 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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TIP31 , TIP31A , TIP31B , TIP31C ,
( NPN ) , TIP32 , TIP32A , TIP32B ,
TIP32C , ( PNP )
其他芯片
塑料功率晶体管
专为通用放大器和开关的使用
应用程序。
特点
http://onsemi.com
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.2伏(最大) @我
C
= 3.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
V
CEO ( SUS )
= 40 VDC (最小) - TIP31 , TIP32
= 60 VDC (最小) - TIP31A , TIP32A
= 80伏直流(最小值) - TIP31B , TIP32B
= 100伏直流(最小值) - TIP31C , TIP32C
高电流增益 - 带宽积
f
T
= 3.0兆赫(最小值) @我
C
= 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
无铅包可用*
3安培
功率晶体管
其他芯片
40-60-80-100伏,
40瓦
记号
4
最大额定值
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集电极 - 发射极电压TIP31 , TIP32
TIP31A , TIP32A
TIP31B , TIP32B
TIP31C , TIP32C
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
40
60
80
100
40
60
80
100
5.0
3.0
5.0
1.0
VDC
TIP31 , TIP32
TIP31A , TIP32A
TIP31B , TIP32B
TIP31C , TIP32C
连续
PEAK
V
CB
VDC
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
V
EB
I
C
I
B
VDC
ADC
ADC
总功耗
@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
总功耗
@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
P
D
40
0.32
W
W / ℃,
W
W / ℃,
mJ
_C
P
D
2.0
0.016
32
非钳位感性负载能量(注1 )
工作和存储结
温度范围
E
T
J
, T
英镑
- 65
+ 150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. I
C
= 1.8 A,L = 20毫亨, P.R.F. = 10赫兹,V
CC
= 10 V ,R
BE
= 100
W
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
等级
符号
价值
单位
1
TO−220AB
CASE 221A
风格1
2
3
TIP3xxG
AYWW
TIP3xx
xx
A
Y
WW
G
=器件代码
= 1 ,1A, 1B,1C,
2 ,2A,2B ,2C,
=大会地点
=年
=工作周
无铅封装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
1
2005年9月 - 10牧师
出版订单号:
TIP31A/D