TIP29C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TIP29C
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内容描述：	功率晶体管互补硅 [POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 141 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

TIP29B TIP29C TIP30B TIP30C

500

300

的hFE ， DC电流增益

TJ = 150℃

25°C

– 55°C

T， TIME （

100

VCE = 2.0 V

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.05 0.07 0.1

0.5 0.7 1.0

0.3

IC ，集电极电流（ AMP ）

3.0

0.03

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

TF @ VCC = 30 V

3.0

2.0

′

IB1 = IB2

IC / IB = 10

′

TS = - 1/8 TF

TJ = 25°C

TF @ VCC = 10 V

7.0

5.0

0.03

IC ，集电极电流（ AMP ）

图1.直流电流增益

图2.开启，关闭时间

开通脉冲

约

+11 V

VIN 0

VEB （关闭）

约

+11 V

VIN

关断脉冲

VCC

VIN

T， TIME （

范围

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

TR @ VCC = 30 V

IC / IB = 10

TJ = 25°C

CJD << CEB

≤

7.0纳秒

100 < T2 < 500

µs

T3 < 15纳秒

占空比

≈

2.0%

APPROX - 9.0 V

RB和RC变化，以OBTAIN

所需的电流水平。

– 4.0 V

TR @ VCC = 10 V

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.03

TD @ VEB （关闭） = 2.0 V

0.05 0.07 0.1

0.3

0.5 0.7 1.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

3.0

图3.开关时间等效电路

图4.开启时间

IC ，集电极电流（ AMPS ）

TJ = 150℃

3.0

0.1

二次击穿有限公司

限热@ TC = 25°C

键合丝有限公司

曲线适用BELOW

额定VCEO

0.1

1.0

TIP29B ， 30B

TIP29C ， 30C

100

5毫秒

1毫秒

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二突破性

下来。安全工作区曲线表明IC - VCE操作

化;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T J （峰） = 150

℃; TC是

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）

150

C.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

4.0

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

图5.活动区的安全工作区

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

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