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TIP147 参数 Datasheet PDF下载

TIP147图片预览
型号: TIP147
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内容描述: 达林顿互补硅功率晶体管 [DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 221 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
有源区的安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即,晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
20
IC ,集电极电流( AMP ) (MA )
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
dc
TJ = 150℃
二次击穿极限
焊线LIMIT
散热的限制, @ TC = 25°C
TIP140 , 145
TIP141 , 146
TIP142 , 147
20
30
50
15
70
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
IC ,集电极电流( AMPS )
15
10
7.0
5.0
100兆焦耳
图6中的数据是基于T J (峰) = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。在高温情况下temper-
atures ,热限制会降低功率,可以是
处理,以值小于规定的限制
二次击穿。
2.0
0.2
10
1.0
100
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
L,松开电感的负荷(MH )
50
100
图6.活动区安全工作区
VCE监控
MPS–U52
RBB1
输入
50
50
1.5 k
RBB2
= 100
VBB2 = 0
VBB1 = 10 V
100毫亨
TUT
VCC = 20 V
IC
MONITOR
RS = 0.1
图7.非钳位电感负载
w
7.0毫秒(见注1)
5.0 V
0
100毫秒
0
输入
电压
集热器
当前
1.42 A
VCE ( SAT )
– 20 V
集热器
电压
V( BR ) CER
测试电路
注1:输入脉冲宽度增加,直到ICM = 1.42 A.
注2 :对于NPN测试电路反向极性。
电压和电流波形
图8.感性负载
100
70
50
PNP
20
10
7.0
5.0
NPN
PNP
NPN
5.0
PD ,功耗(瓦)
VCE = 10 V
IC = 1.0
TJ = 25°C
HFE ,小信号正向电流
传输比
4.0
3.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
0
2.0
3.0
5.0
男,频率(MHz)
7.0
10
0
40
80
120
160
TA ,自由空气的温度( ℃)
200
图9.幅度的共发射极的
小信号短路正向
电流传输比
4
图10.自由空气的温度
功率降额
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据