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TIP117 参数 Datasheet PDF下载

TIP117图片预览
型号: TIP117
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内容描述: 塑料中功率互补硅晶体管 [Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 8 页 / 100 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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TIP110 , TIP111 , TIP112 ( NPN ) ; TIP115 , TIP116 , TIP117 ( PNP )
有源区的安全工作区
10
IC ,集电极电流( AMPS )
4.0
1毫秒
2.0
1.0
5毫秒
T
J
= 150°C
dc
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C (单脉冲)
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
0.1
1.0
TIP115
TIP116
TIP117
IC ,集电极电流( AMPS )
10
4.0
2.0
1.0
T
J
= 150°C
dc
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C (单脉冲)
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
0.1
1.0
TIP110
TIP111
TIP112
10
40 60 80 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
10
60 80 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图5. TIP115 , 116 , 117
图6. TIP110 , 111 , 112
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
− V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于T
J(下PK)
= 150_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 %
J(下PK)
< 150_C 。牛逼
J(下PK)
可以从在数据计算
图4.在高温情况下,热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
200
T
C
= 25°C
C,电容(pF )
100
70
50
C
ob
30
20
PNP
NPN
10
0.04 0.06 0.1
0.2 0.4 0.6 1.0
2.0 4.0 6.0 10
V
R
,反向电压(伏)
20
40
C
ib
图7.电容
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