TIP110 ， TIP111 ， TIP112 （ NPN ） ; TIP115 ， TIP116 ， TIP117 （ PNP ）
4.0
R
B
＆放大器; ř
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
，必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
R
C
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
TUT
V
2
约
+8.0 V
0
V
1
约
−12 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
D
1
+4.0 V
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0, R
B
和R
C
是多种多样的
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
V
CC
−30 V
t
s
2.0
范围
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
t
f
t
r
≈
8.0 k
≈
60
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.2
0.04 0.06
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
P
（ PK）
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 2.5 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
− T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.05
0.1
图4.热响应
http://onsemi.com
4
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
