PZT2907AT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征（ 2 ）
直流电流增益
（ IC = - 0.1 MADC ， VCE = -10伏直流）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -10伏直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -10伏直流）
（ IC = -150 MADC ， VCE = -10伏直流）
（ IC = - 500 MADC ， VCE = -10伏直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -150 MADC ， IB = -15 MADC ）
（ IC = - 500 MADC ， IB = - 50 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -150 MADC ， IB = -15 MADC ）
（ IC = - 500 MADC ， IB = - 50 MADC ）
的hFE
75
100
100
100
50
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
—
—
–1.3
– 2.6
—
—
– 0.4
–1.6
VDC
—
—
—
—
—
—
—
—
300
—
VDC
—
动态特性
电流增益 - 带宽积（ IC = - 50 MADC ， VCE = - 20伏直流电， F = 100兆赫）
输出电容（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容（ VEB = - 2.0伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
fT
Cc
Ce
200
—
—
—
—
—
—
8.0
30
兆赫
pF
pF
开关时间
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比= 2.0 ％ 。
（ VCC = - 6.0伏， IC = -150 MADC ，
IB1 = IB2 = -15 MADC ）
（ VCC = - 30伏直流电， IC = -150 MADC ，
IB1 = -15 MADC ）
吨
td
tr
花花公子
ts
tf
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
45
10
40
100
80
30
ns
ns
– 30 V
输入
ZO = 50
Ω
PRF = 150赫兹
上升时间
≤
2.0纳秒
0
– 16 V
200纳秒
50
输入
ZO = 50
Ω
PRF = 150赫兹
上升时间
≤
2.0纳秒
0
– 30 V
50
200纳秒
+15 V
– 6.0 V
200
1.0 k
37
1.0 k
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1.0 k
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1N916
图1.延迟和上升
时间测试电路
图2.存储和秋季
时间测试电路
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
