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NTD4302 参数 Datasheet PDF下载

NTD4302图片预览
型号: NTD4302
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内容描述: 功率MOSFET 68安培, 30伏特( N沟道DPAK ) [Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N−Channel DPAK)]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 89 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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NTD4302
100
ID ,漏极电流( AMPS )
100
ms
的di / dt
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
1毫秒
I
S
t
rr
t
a
10毫秒
dc
t
p
I
S
10
100
0.25 I
S
t
b
时间
10
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
1
0.1
1
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.二极管的反向恢复波形
1000
Rthja (t)的有效瞬态
热阻
占空比
100
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
安装在最小建议足迹
10
1
P
( PK)
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1E−03
1E−02
1E−01
T,时间(秒)
1E+00
t
1
0.1
单脉冲
0.01
1E−05
1E−04
R
θJA
(吨)= R(T )R
θJA
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
− T
A
= P
( PK)
R
θJA
(t)
1E+02
1E+03
1E+01
图13.热响应 - 各工作周期
http://onsemi.com
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