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    NTD4302-1 参数 Datasheet PDF下载

    NTD4302-1图片预览
    型号： NTD4302-1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET 68安培， 30伏特（ N沟道DPAK ） [Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N-Channel DPAK)]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 89 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NTD4302-1的Datasheet PDF文件第9页  
    NTD4302
    50
    I
    D
    ，漏极电流（ AMPS ）
    60
    V
    DS
    > = 10 V
    I
    D
    ，漏极电流（ AMPS ）
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 100°C
    T
    J
    = −55°C
    V
    GS
    = 4 V
    T
    J
    = 25°C
    V
    GS
    = 3.8 V
    40
    V
    GS
    = 4.4 V
    V
    GS
    = 4.6 V
    V
    GS
    = 5 V
    V
    GS
    = 7 V
    V
    GS
    = 10 V
    30
    20
    V
    GS
    = 3.4 V
    V
    GS
    = 3.2 V
    V
    GS
    = 3.0 V
    10
    0
    0
    0.5
    1
    V
    GS
    = 2.8 V
    1.5
    2
    2.5
    3
    2
    3
    4
    5
    6
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    图1.区域特征
    图2.传输特性
    R
    DS （ ON）
    ，漏源电阻（ Ω ）
    0.1
    R
    DS （ ON）
    ，漏源电阻（ Ω ）
    I
    D
    = 10 A
    T
    J
    = 25°C
    0.015
    T
    J
    = 25°C
    0.075
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.01
    0.05
    V
    GS
    = 10 V
    0.005
    0.025
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    0.00E+00
    0
    1.00E+01
    2.00E+01
    3.00E+01
    4.00E+01
    5.00E+01
    6.00E+01
    I
    D
    ，漏极电流（ AMPS ）
    图3.导通电阻与
    栅极 - 源极电压
    R
    DS （ ON）
    ，漏极 - 源极电阻
    （归一化）
    1.6
    I
    D
    = 18.5 A
    V
    GS
    = 10 V
    10000
    图4.导通电阻与漏电流
    与栅极电压
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 150°C
    1.4
    1.2
    I
    DSS
    ，漏电（ NA）
    1000
    100
    T
    J
    = 100°C
    10
    1
    0.8
    0.6
    −50
    1
    −25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    图5.导通电阻变化与
    温度
    图6.漏极 - 源极漏
    电流与电压
    http://onsemi.com
    4

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