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    NTD4302-1G 参数 Datasheet PDF下载

    NTD4302-1G图片预览
    型号： NTD4302-1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET 68 A， 30 V ，NA ????频道DPAK [Power MOSFET 68 A, 30 V, N−Channel DPAK]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 118 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NTD4302-1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NTD4302-1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD4302-1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD4302-1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD4302-1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD4302-1G的Datasheet PDF文件第7页  
    NTD4302
    电气特性
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    漏源击穿电压
    (V
    GS
    = 0伏，我
    D
    = 250
    毫安）
    正温度系数
    零栅极电压漏极电流
    (V
    GS
    = 0伏，V
    DS
    = 30伏直流电，T
    J
    = 25°C)
    (V
    GS
    = 0伏，V
    DS
    = 30伏直流电，T
    J
    = 125°C)
    门体漏电流（Ⅴ
    GS
    =
    ±20
    VDC ，V
    DS
    = 0伏）
    基本特征
    栅极阈值电压
    (V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250
    MADC ）
    负温度COEF网络cient
    静态漏源导通电阻
    (V
    GS
    = 10 VDC ，我
    D
    = 20 ADC）
    (V
    GS
    = 10 VDC ，我
    D
    = 10 ADC）
    (V
    GS
    = 4.5伏，我
    D
    = 5.0 ADC）
    正向跨导（V
    DS
    = 15 VDC ，我
    D
    = 10 ADC）
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    关断延迟时间
    下降时间
    导通延迟时间
    上升时间
    关断延迟时间
    下降时间
    导通延迟时间
    上升时间
    关断延迟时间
    下降时间
    栅极电荷
    (V
    DD
    = 24伏直流，我
    D
    = 20的ADC ，
    V
    GS
    = 10 VDC ，
    R
    G
    = 2.5
    W)
    (V
    DD
    = 25伏直流，我
    D
    = 1.0 ADC ，
    V
    GS
    = 10 VDC ，
    R
    G
    = 2.5
    W)
    (V
    DD
    = 25伏直流，我
    D
    = 1.0 ADC ，
    V
    GS
    = 10 VDC ，
    R
    G
    = 6.0
    W)
    (V
    DS
    = 24伏，V
    GS
    = 0伏，
    F = 1.0兆赫）
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    T
    Q
    gs
    (Q1)
    Q
    gd
    (Q2)
    V
    SD
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    2050
    640
    225
    11
    15
    85
    55
    11
    13
    55
    40
    15
    25
    40
    58
    55
    5.5
    15
    2400
    800
    310
    20
    25
    130
    90
    20
    20
    90
    75
    −
    −
    −
    −
    80
    −
    −
    VDC
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    0.75
    0.90
    0.65
    39
    20
    19
    0.043
    1.0
    −
    −
    65
    −
    −
    −
    mC
    ns
    nC
    ns
    ns
    ns
    pF
    V
    GS （ TH）
    VDC
    1.0
    −
    −
    −
    −
    −
    1.9
    −3.8
    0.0078
    0.0078
    0.010
    20
    3.0
    −
    0.010
    0.010
    0.013
    −
    W
    V
    （ BR ） DSS
    VDC
    30
    −
    −
    −
    −
    −
    25
    −
    −
    −
    −
    −
    1.0
    10
    ±100
    毫伏/°C的
    MADC
    符号
    民
    典型值
    最大
    单位
    I
    DSS
    I
    GSS
    NADC
    R
    DS （ ON）
    政府飞行服务队
    姆欧
    开关特性
    （注6 ）
    (V
    DS
    = 24伏直流，我
    D
    = 2.0 ADC ，
    V
    GS
    = 10 VDC ）
    体漏二极管额定值
    （注5 ）
    二极管正向导通电压
    (I
    S
    = 2.3 ADC ，V
    GS
    = 0伏）
    (I
    S
    = 20 ADC ，V
    GS
    = 0伏）
    (I
    S
    = 2.3 ADC ，V
    GS
    = 0伏，T
    J
    = 125°C)
    反向恢复时间
    (I
    S
    = 2.3 ADC ，V
    GS
    = 0伏，
    dI
    S
    / DT = 100 A / MS）
    t
    rr
    t
    a
    t
    b
    Q
    rr
    反向恢复电荷存储
    5.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
    毫秒
    最大值，占空比
    ≤
    2%.
    6.开关特性是独立的工作结温。
    http://onsemi.com
    2

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