NCP1200
应用信息
介绍
的NCP1200实现了一个标准电流模式
体系结构，其中所述关断时间由规定
峰值电流设定点。此组件表示理想
考生需要低元件数的关键参数，
特别是在低成本的AC- DC适配器，辅
耗材等。由于其高性能高压
技术， NCP1200集成了所有必要的
组件通常需要UC384X基于用品：
定时元件，反馈装置，低通滤波器和
自给。这以后点强调一个事实，即对
安森美半导体的NCP1200不需要辅助
绕来操作：该产品是由自然提供
高电压轨，并提供了一个V
CC
给IC 。这
系统被称为动态自供电（ DSS ） 。
动态自供电
在DSS的原理是基于对所述充电/放电
V
CC
大容量电容器从低电平上升到较高的水平。我们
可以很容易地描述了一堆电流源操作
简单的逻辑公式：
POWER- ON：如果v
CC
＆ LT ; V
CCOFF
当时的来源
为ON时，不输出脉冲
如果V
CC
降低> V
CCON
那么电流源
OFF时，输出脉冲
如果V
CC
增加< V
CCOFF
那么电流源
ON时，输出脉冲
典型值是： V
CCOFF
= 11.4 V, V
CCON
= 9.8 V
为了更好地理解工作原理，图15的
草图提供了必要的光：
V
CCOFF
= 11.4 V
10.6 V的魅力。
V
CCON
= 9.8 V
V
CC
ON
关闭
当前
来源
输出脉冲
10.00M
30.00M
50.00M
70.00M
90.00M
图15.充电/放电周期
在10
mF
V
CC
电容
在DSS的行为实际上取决于内部IC
消费和MOSFET的栅极电荷QG 。如果我们
选择像MTD1N60E的MOSFET ，的Qg等于11 NC
（最大值）。以48kHz的最大开关频率（对于
在P40版本） ，必要的平均功率来驱动
MOSFET （不包括驱动器效率，忽略
各种电压降）是：
FSW
@
Qg
@
V
cc
.
0.16 = 256毫瓦。如果由于设计的原因这种贡献是
仍然过高，几种解决方案存在削弱它：
1.使用的MOSFET具有更低的栅极电荷Qg
2.通过一个二极管连接销（ 1N4007典型值） ，以
其中一个电源输入。引脚8平均值
电源PEAK
。我们的力量贡献
变
p
例如下降到160毫瓦。
DSTART
1N4007
2*V
同
FSW =最大开关频率
QG = MOSFET的栅极电荷
V
CC
= V
GS
电平施加到栅极
要获得该IC的最终驱动程序贡献
消费，只要除以这个结果为V
CC
： Idriver =
FSW
@
Qg
= 530
毫安。
总待机功耗
在无负载将因此严重依赖于内部IC
消费加上上述驱动电流（通过改变
驾驶员的效率）。假设IC被从供给
400 V直流线路。为了充分供应集成电路，让我们
想象4毫安来源为ON时8毫秒和关闭过程中
50毫秒。因此， IC电源的贡献是： 400 V
.
4毫安
C3
4.7
mF
400 V
+
1
2
3
NCP1200
ADJ
FB
CS
HV 8
NC 7
V
CC
6
EMI
滤波器
4
GND DRV 5
图16.简单的二极管，自然降低了
引脚8平均电压
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7
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
