NCP1010 ， NCP1011 ， NCP1012 ， NCP1013 ， NCP1014
V
CC
= 8.0 V ，除非另有说明）。
电气特性
（对于典型值T
J
= 25 ℃，最小/最大值T
J
= 0 ° C至+ 125°C ，最大牛逼
J
= 150°C,
等级
供应科和V
CC
管理
V
CC
越来越多的等级。电流源打开，关闭
V
CC
降低的等级。电流源打开上
VCC之间的迟滞
关闭
和Vcc的
ON
V
CC
降低的等级。锁存关断阶段结束
V
CC
降低等级，在其内部锁存器被释放
IC内部消费， MOSFET开关在65千赫
IC内部消费， MOSFET的开关频率为100 kHz
IC内部消费， MOSFET开关在130千赫
IC内部消费，锁断相，V
CC
= 6.0 V
活跃的齐纳电压正偏置到VCC
关闭
锁存关断电流
NCP1012/13/14
NCP1010/11
电源开关电路
电源开关电路导通状态电阻
NCP1012 / 13/ 14（编号= 50 mA）的
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
NCP1010 / 11 （ID = 50毫安）
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
电源开关电路和启动击穿电压
（ID
（关闭）
= 120
毫安，
T
J
= 25°C)
电源开关和启动击穿电压关闭状态
漏电流
T
J
= 25 ° C（ VDS = 700 V）
T
J
= 125°C （VDS = 700 V）
开关特性
（ RL = 50
W,
VDS设置为Idrain = 0.7× ILIM）
开启时间（ 90 ％ -10 ％ ）
关断时间（ 10 ％ -90 ％ ）
内部启动电流源
高压电流源，V
CC
= 8.0 V
NCP1012/13/14
NCP1010/11
高压电流源，V
CC
= 0
电流比较器
T
J
= 25 ° C（注2 ）
最大内部电流设定点， NCP1010 （注3 ）
最大内部电流设定点， NCP1011 （注3 ）
最大内部电流设定点， NCP1012 （注3 ）
最大内部电流设定点， NCP1013 （注3 ）
最大内部电流设定点， NCP1014 （注3 ）
默认的内部电流设定值进行跳跃周期操作，
最大叶的百分比
从目前的检测传输延迟流掉国家
前沿消隐时间
1
IC1
5.0
5.0
1
5
5
5
5
5
−
−
−
IC2
I峰值（ 22 ）
I峰值（ 22 ）
I峰值（ 11 ）
I峰值（ 11 ）
I峰值（ 11 ）
I
Lskip
T
DEL
T
LEB
−
90
225
225
315
405
−
−
−
8.0
8.5
10
100
250
250
350
450
25
125
250
10
10.3
−
110
275
275
385
495
−
−
−
mA
mA
mA
mA
mA
mA
%
ns
ns
mA
5
R
DSON
−
11
19
22
38
5
BVDSS
I
DS （ OFF
)
5
5
−
−
50
30
−
−
ns
5
5
吨
花花公子
−
−
20
10
−
−
700
−
16
24
35
50
−
V
mA
W
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
VCC
关闭
VCC
ON
−
VCC
LATCH
VCC
RESET
ICC1
ICC1
ICC1
ICC2
VCLAMP
ILatch
6.3
5.8
7.4
7.3
9.2
9.0
7.9
6.9
−
4.4
−
−
−
−
−
140
8.5
7.5
1.0
4.7
3.0
0.92
0.95
0.98
290
200
9.1
8.1
−
5.1
−
1.1
（注2 ）
1.15
（注2 ）
1.2
（注2 ）
−
300
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mV
mA
针
符号
民
典型值
最大
单位
2.请参见特性曲线的温度变化。
3.调整的di / dt在3.2到I峰值
毫秒。
http://onsemi.com
5
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
