NCP1010 ， NCP1011 ， NCP1012 ， NCP1013 ， NCP1014
TSW
1 V纹波
T开始
Tlatch
闭锁
水平
图16. NCP101X面对一个故障条件（ VIN = 150 VDC）
从闭锁级别最高上升斜率为8.5 V
表示为：
T开始
+
DV1
· C
。在此期间，该时间
最后，
上述IC实际脉冲进行由下式给出
TSW
+
DV2
· C
.
ICC1
该
闭锁
时间
可以
be
ICC2
IC1
VDS （T ）
花花公子
VIN
Vr
dt
衍生
用相同的公式拓扑图：
Tlatch
+
DV3
· C
.
这三个定义，对突发占空比
可以计算：
dc
+
dc
+
DV2
（当量3）
.
DV3
DV2
ICC1 ·
ICC1
)
DV1
)
ICC2
IC1
TSW
（当量2）
.
T开始
)
TSW
)
Tlatch
馈送
该
吨
TSW
t
方程的参数部分提取的值
给出了13 ％的典型的占空比，排除任何致死
热失控，而在故障条件。
DSS内部耗散
图17.典型的漏地波形
其中，不占泄漏影响的。
动态自供电拉出来的能量从
漏针。在反激式转换器，这个漏水平可
轻易去超过600 V峰值，从而增加了压力
DSS启动源。然而，漏极电压的演变与
相比，该决策支持系统的时间和它的周期是小的。如
其结果是，平均耗散，不含电容损耗，
可以衍生自：
PDSS
+
ICC1 ·
t
VDS （T ）
u
.
（公式4），
.
图17描绘了一个典型的漏极接地波形，其中
泄漏的影响已被删除。
通过观察图17中的平均结果可以很容易地
推导出添加剂平方米面积计算：
t
VDS （T ）
u+
VIN · （ 1
*
d)
)
VR ·花花公子
TSW
（当量5）
通过开发式（5） ，我们得到：
t
VDS （T ）
u+
VIN
*
VIN ·吨
)
VR ·花花公子
TSW
TSW
（当量6）
Toff的可以表示为：
花花公子
+
叶·
可以通过进行评估：
吨
+
叶·
Lp
（当量8）
.
VIN
Lp
（公式7）
式中tON
Vr
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10
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
