MUR805 ， MUR810 ， MUR815 ， MUR820 ， MUR840 ， MUR860
MUR840
100
IR ，反向电流（
m
A)
70
50
1000
T
J
= 175°C
150°C
10
100°C
25°C
1.0
100
30
I F ，正向电流（安培）
20
0.1
0.01
0
50
100
150 200 250 300 350 400
V
R
，反向电压（伏）
450 500
10
7.0
5.0
T
J
= 175°C
3.0
100°C
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
25°C
图7.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的在最高电压装置
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
v
F,
瞬时电压（伏）
图6.典型正向电压
图8.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
方波
dc
T
J
= 175°C
图9.电流降额，环境
图10.功耗
http://onsemi.com
4
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
