ON Semiconductort
四通道放大器/开关
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
每
晶体管
总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储
结温范围
PD
0.4
3.2
PD
0.66
5.3
TJ ， TSTG
1.92
15.4
-55到+150
800
6.4
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
价值
40
60
6.0
200
FOUR
晶体管
平等权
单位
VDC
VDC
MMPQ3904
安森美半导体首选设备
16
1
VDC
MADC
CASE 751B -05 ，风格4
SO–16
1
2
3
4
5
6
7
16
15
14
13
12
11
10
9
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
8
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
MADC ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
MADC ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 4.0伏， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
40
60
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
©
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 第2版
出版订单号：
MMPQ3904/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
