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MMBTA06LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA06LT1G图片预览
型号: MMBTA06LT1G
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内容描述: 驱动晶体管NPN硅 [Driver Transistors NPN Silicon]
分类和应用: 晶体晶体管驱动
文件页数/大小: 5 页 / 99 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBTA05LT1G , MMBTA06LT1G
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
300
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
C,电容(pF )
80
60
40
C
IBO
20
T
J
= 25°C
100
70
50
10
8.0
6.0
C
敖包
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
30
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
4.0
0.1
I
C
,集电极电流(毫安)
V
R
,反向电压(伏)
图2.电流增益 - 带宽积
图3.电容
1.0 k
700
500
300
T, TIME ( NS )
200
100
70
50
30
20
10
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
5.0 7.0 10
400
T
J
= 125°C
t
s
^ h FE , DC电流增益
200
25°C
-55°C
100
80
60
40
0.5
V
CE
= 1.0 V
t
f
t
r
t
d
@ V
BE (OFF)的
= 0.5 V
20
30
50
70 100
200 300
500
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200 300 500
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图4.开关时间
图5.直流电流增益
1
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射
饱和电压( V)
I
C
/I
B
= 10
150°C
25°C
0.1
−55°C
1.1
1.0
0.9
0.8
−55°C
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
25°C
I
C
/I
B
= 10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图6.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
图7.基极发射极饱和电压与
集电极电流
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