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    MMBTA42 参数 Datasheet PDF下载

    MMBTA42图片预览
    型号： MMBTA42
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电压晶体管 [High Voltage Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器PC
    文件页数/大小： 5 页 / 103 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBTA42的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBTA42的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBTA42的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBTA42的Datasheet PDF文件第5页  
    MMBTA42LT1G ， MMBTA43LT1G
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    集热器
    ：辐射源
    击穿电压（注3 ）
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，我
    B
    = 0)
    集热器
    ： BASE
    击穿电压
    (I
    C
    = 100
    MADC ，
    I
    E
    = 0)
    辐射源
    ： BASE
    击穿电压
    (I
    E
    = 100
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    收藏家Cuto FF电流
    (V
    CB
    = 200伏，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    = 160伏，我
    E
    = 0)
    发射Cuto FF电流
    (V
    EB
    = 6.0伏，我
    C
    = 0)
    (V
    EB
    = 4.0伏，我
    C
    = 0)
    基本特征
    （注3）
    直流电流增益
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ）
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ）
    (I
    C
    = 30 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ）
    集热器
    ：辐射源
    饱和电压
    (I
    C
    = 20 MADC ，我
    B
    = 2.0 MADC ）
    基射极饱和电压
    (I
    C
    = 20 MADC ，我
    B
    = 2.0 MADC ）
    小信号特性
    当前
    - 获得 -
    带宽积
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 20伏， F = 100兆赫）
    集电极 - 基极电容
    (V
    CB
    = 20伏直流，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    3.脉冲测试：脉冲宽度
    v
    300
    女士，
    占空比
    v
    2.0%.
    MMBTA42
    MMBTA43
    f
    T
    C
    cb
    50
    −
    兆赫
    pF
    这两种类型
    这两种类型
    MMBTA42
    MMBTA43
    MMBTA42
    MMBTA43
    V
    CE （ SAT ）
    h
    FE
    25
    40
    40
    40
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    0.5
    0.5
    0.9
    VDC
    −
    MMBTA42
    MMBTA43
    MMBTA42
    MMBTA43
    MMBTA42
    MMBTA43
    MMBTA42
    MMBTA43
    V
    （ BR ） CEO
    300
    200
    300
    200
    6.0
    −
    −
    −
    −
    −
    VDC
    符号
    民
    最大
    单位
    V
    （ BR ） CBO
    VDC
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    VDC
    MADC
    −
    −
    −
    −
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    I
    EBO
    MADC
    V
    BE （ SAT ）
    VDC
    −
    −
    3.0
    4.0
    120
    100
    的hFE ， DC电流增益
    80
    60
    40
    -55°C
    20
    0
    0.1
    1.0
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    10
    100
    25°C
    T
    J
    = +125°C
    V
    CE
    = 10 VDC
    图1.直流电流增益
    http://onsemi.com
    2

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