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MMBTA42LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA42LT1图片预览
型号: MMBTA42LT1
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内容描述: 高压晶体管( NPN硅) [High Voltage Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管高压
文件页数/大小: 4 页 / 58 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBTA42LT1 , MMBTA43LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压(注3 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 200伏,我
E
= 0)
(V
CB
= 160伏,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏,我
C
= 0)
(V
EB
= 4.0伏,我
C
= 0)
基本特征
(注3)
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 30 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 20 MADC ,我
B
= 2.0 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 20 MADC ,我
B
= 2.0 MADC )
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 20伏, F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 20伏直流,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
MMBTA42
MMBTA43
f
T
C
cb
3.0
4.0
50
兆赫
pF
h
FE
这两种类型
这两种类型
MMBTA42
MMBTA43
V
CE ( SAT )
MMBTA42
MMBTA43
V
BE ( SAT )
0.5
0.5
0.9
VDC
25
40
40
40
VDC
MMBTA42
MMBTA43
I
EBO
MMBTA42
MMBTA43
0.1
0.1
V
( BR ) CEO
MMBTA42
MMBTA43
V
( BR ) CBO
MMBTA42
MMBTA43
V
( BR ) EBO
I
CBO
0.1
0.1
MADC
300
200
6.0
VDC
MADC
300
200
VDC
VDC
符号
最大
单位
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