摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMBTA92LT1 / D
高电压晶体管
PNP硅
1
BASE
集热器
3
*
MMBTA92LT1
MMBTA93LT1
*摩托罗拉的首选设备
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
MMBTA92
–300
–300
–5.0
–500
MMBTA93
–200
–200
–5.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
器件标识
MMBTA92LT1 = 2D ; MMBTA93LT1 = 2E
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局， （ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -200伏， IE = 0 ）
（ VCB = -160伏， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = -3.0伏， IC = 0 ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%.
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
V（ BR ） CEO
MMBTA92
MMBTA93
V（ BR ） CBO
MMBTA92
MMBTA93
V（ BR ） EBO
ICBO
MMBTA92
MMBTA93
IEBO
—
—
—
–0.25
–0.25
–0.1
–300
–200
–5.0
—
—
—
–300
–200
—
—
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1998年
1
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
