欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MMBTA06LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA06LT1G图片预览
型号: MMBTA06LT1G
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 驱动晶体管 [Driver Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管驱动
文件页数/大小: 6 页 / 114 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MMBTA06LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA06LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBTA06LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBTA06LT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBTA06LT1G的Datasheet PDF文件第6页  
MMBTA05L , MMBTA06L ,
SMMBTA06L
驱动晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
S前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
MMBTA05LT1
MMBTA06LT1 , SMMBTA06LT1
集热器
: BASE
电压
MMBTA05LT1
MMBTA06LT1 , SMMBTA06LT1
辐射源
: BASE
电压
集电极电流
连续
静电放电
符号
V
首席执行官
价值
60
80
VDC
60
80
4.0
500
HBM 3B类
MM C级
CDM IV级
VDC
MADC
单位
VDC
1
3
V
CBO
2
SOT−23
CASE 318
类型6
V
EBO
I
C
ESD
标记DIAGRAMS
热特性
特征
器件总功耗FR- 5
董事会(注1 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板, (注2 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
−55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1H M
G
G
1GM M
G
G
MMBTA05LT1
MMBTA06LT1,
SMMBTA06L
1H , 1GM =具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
°C
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 %的氧化铝。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2012
, 2012年7月
启8
1
出版订单号:
MMBTA05LT1/D