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    MMBT5550LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT5550LT1G图片预览
    型号： MMBT5550LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高压晶体管NPN硅 [High Voltage Transistors NPN Silicon]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管高压
    文件页数/大小： 6 页 / 118 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT5550LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT5550LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT5550LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT5550LT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT5550LT1G的Datasheet PDF文件第6页  
    MMBT5550LT1G ， MMBT5551LT1G
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    集热器
    ：辐射源
    击穿电压（注3 ）
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，我
    B
    = 0)
    集热器
    ： BASE
    击穿电压
    (I
    C
    = 100
    MADC ，
    I
    E
    = 0)
    辐射源
    ： BASE
    击穿电压
    (I
    E
    = 10
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    收藏家Cuto FF电流
    (V
    CB
    = 100伏，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    = 120伏，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    = 100伏，我
    E
    = 0, T
    A
    = 100°C)
    (V
    CB
    = 120伏，我
    E
    = 0, T
    A
    = 100°C)
    发射Cuto FF电流
    (V
    EB
    = 4.0伏，我
    C
    = 0)
    基本特征
    直流电流增益
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 5.0伏）
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 5.0伏）
    (I
    C
    = 50 MADC ，V
    CE
    = 5.0伏）
    集热器
    ：辐射源
    饱和电压
    (I
    C
    = 10 MADC ，我
    B
    = 1.0 MADC ）
    (I
    C
    = 50 MADC ，我
    B
    = 5.0 MADC ）
    BASE
    ：辐射源
    饱和电压
    (I
    C
    = 10 MADC ，我
    B
    = 1.0 MADC ）
    (I
    C
    = 50 MADC ，我
    B
    = 5.0 MADC ）
    集电极 - 发射极截止
    (V
    CB
    = 10 V)
    (V
    CB
    = 75 V)
    3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
    女士，
    占空比= 2.0 ％ 。
    MMBT5550
    MMBT5551
    MMBT5550
    MMBT5551
    MMBT5550
    MMBT5551
    这两种类型
    MMBT5550
    MMBT5551
    这两种类型
    MMBT5550
    MMBT5551
    这两种类型
    h
    FE
    60
    80
    60
    80
    20
    30
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    250
    250
    −
    −
    0.15
    0.25
    0.20
    1.0
    1.2
    1.0
    50
    100
    −
    MMBT5550
    MMBT5551
    MMBT5550
    MMBT5551
    MMBT5550
    MMBT5551
    MMBT5550
    MMBT5551
    V
    （ BR ） CEO
    140
    160
    160
    180
    6.0
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    100
    50
    100
    50
    50
    VDC
    符号
    民
    最大
    单位
    V
    （ BR ） CBO
    VDC
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    VDC
    NADC
    MADC
    NADC
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    VDC
    V
    BE （ SAT ）
    VDC
    I
    CES
    nA
    http://onsemi.com
    2

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