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    MMBT4401LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT4401LT1G图片预览
    型号： MMBT4401LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 开关晶体管 [Switching Transistor]
    分类和应用： 晶体开关晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 151 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT4401LT1G的Datasheet PDF文件第7页  
    MMBT4401LT1G
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    集热器
    ：辐射源
    击穿电压（注3 ）
    集热器
    ： BASE
    击穿电压
    辐射源
    ： BASE
    击穿电压
    基地截止电流
    收藏家Cuto FF电流
    基本特征
    （注3）
    直流电流增益
    (I
    C
    = 0.1 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    (I
    C
    = 150 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    (I
    C
    = 500 MADC ，V
    CE
    = 2.0伏）
    (I
    C
    = 150 MADC ，我
    B
    = 15 MADC ）
    (I
    C
    = 500 MADC ，我
    B
    = 50 MADC ）
    (I
    C
    = 150 MADC ，我
    B
    = 15 MADC ）
    (I
    C
    = 500 MADC ，我
    B
    = 50 MADC ）
    (I
    C
    = 20 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 100兆赫）
    (V
    CB
    = 5.0伏，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    (V
    EB
    = 0.5伏，我
    C
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    h
    FE
    20
    40
    80
    100
    40
    −
    −
    0.75
    −
    −
    −
    −
    300
    −
    0.4
    0.75
    0.95
    1.2
    −
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，我
    B
    = 0)
    (I
    C
    = 0.1 MADC ，我
    E
    = 0)
    (I
    E
    = 0.1 MADC ，我
    C
    = 0)
    (V
    CE
    = 35 VDC ，V
    EB
    = 0.4伏）
    (V
    CE
    = 35 VDC ，V
    EB
    = 0.4伏）
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    BEV
    I
    CEX
    40
    60
    6.0
    −
    −
    −
    −
    −
    0.1
    0.1
    VDC
    VDC
    VDC
    MADC
    MADC
    符号
    民
    最大
    单位
    集热器
    ：辐射源
    饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    VDC
    BASE
    ：辐射源
    饱和电压
    V
    BE （ SAT ）
    VDC
    小信号特性
    当前
    - 获得 -
    带宽积
    集电极 - 基极电容
    发射极 - 基极电容
    输入阻抗
    电压反馈比例
    小
    “信号
    电流增益
    输出导纳
    开关特性
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    (V
    CC
    = 30伏直流电，V
    EB
    = 2.0伏，
    I
    C
    = 150 MADC ，我
    B1
    = 15 MADC ）
    (V
    CC
    = 30伏直流电，我
    C
    = 150 MADC ，
    I
    B1
    = I
    B2
    = 15 MADC ）
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    −
    −
    −
    −
    15
    20
    225
    30
    ns
    f
    T
    C
    cb
    C
    eb
    h
    ie
    h
    re
    h
    fe
    h
    oe
    250
    −
    −
    1.0
    0.1
    40
    1.0
    −
    6.5
    30
    15
    8.0
    500
    30
    兆赫
    pF
    pF
    kW
    X 10
    −
    4
    −
    毫姆欧
    ns
    3.脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300
    女士，
    占空比
    ≤
    2.0%.
    切换时间等效测试电路
    + 30 V
    +16 V
    0
    - 2.0 V
    1.0-100
    女士，
    占空比
    ≈
    2.0%
    1.0 KW
    ＆ LT ; 2.0纳秒
    200
    W
    +16 V
    0
    C
    S
    * < 10 pF的
    -14 V
    < 20纳秒
    1.0 KW
    C
    S
    * < 10 pF的
    1.0-100
    女士，
    占空比
    ≈
    2.0%
    + 30 V
    200
    W
    - 4.0 V
    范围上升时间< 4.0纳秒
    *测试夹具的连接器共有并联电容和示波器
    图1.开启时间
    图2.开启，关闭时间
    http://onsemi.com
    2

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