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MMBT4403LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBT4403LT1图片预览
型号: MMBT4403LT1
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内容描述: 开关晶体管( PNP硅) [Switching Transistor(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体开关小信号双极晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 150 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT4403LT1
小信号特性
噪声系数
V
CE
= -10伏直流,T
A
= 25°C ;带宽= 1.0赫兹
10
8
NF ,噪声系数(dB )
I
C
= 1.0毫安,R
S
= 430
W
I
C
= 500
毫安,
R
S
= 560
W
I
C
= 50
毫安,
R
S
= 2.7千瓦
I
C
= 100
毫安,
R
S
= 1.6千瓦
NF ,噪声系数(dB )
10
F = 1千赫
8
6
6
4
2
4
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
1.0毫安
R
S
=最佳源电阻
2
0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0
10
20
50
100
50
100
200
500
1k
2k
5k
10 k 20 k
50 k
男,频率(KHz )
R
S
,源电阻(欧姆)
图8.频率的影响
图9.源电阻的影响
h参数值
V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫,T
A
= 25°C
这组曲线图的图示H中的关系
fe
和其他“h”的参数,这个系列的晶体管。为了获得
这些曲线中,高增益和低增益单元从MMBT4403LT1线被选中,并且在同一单位被用来
制定每个图上的相应编号的曲线。
1000
700
500
hFE参数,电流增益
300
200
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
100 k
缺氧缺血性脑病,输入阻抗(欧姆)
50 k
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
100
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
100
70
50
30
0.1
I
C
,集电极电流( MADC )
I
C
,集电极电流( MADC )
图10.电流增益
ħ重,电压反馈比例( X 10
−4
)
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
锄头,输出导纳(
m
姆欧)
500
图11.输入阻抗
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MMBT4403LT1 UNIT 1
MMBT4403LT1 UNIT 2
I
C
,集电极电流( MADC )
I
C
,集电极电流( MADC )
图12.电压反馈比例
http://onsemi.com
5
图13.输出导纳