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    MMBT3904LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT3904LT1G图片预览
    型号： MMBT3904LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管 [General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 114 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT3904LT1G的Datasheet PDF文件第7页  
    MMBT3904LT1G
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    集热器
    ：辐射源
    击穿电压（I
    C
    = 1.0 MADC ，我
    B
    = 0)
    集热器
    ： BASE
    击穿电压（I
    C
    = 10
    MADC ，
    I
    E
    = 0)
    发射极 - 基极击穿电压（I
    E
    = 10
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    底座截止电流（V
    CE
    = 30伏直流电，V
    EB
    = 3.0伏）
    集电极截止电流（V
    CE
    = 30伏直流电，V
    EB
    = 3.0伏）
    基本特征
    （注4 ）
    直流电流增益
    (I
    C
    = 0.1 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    (I
    C
    = 50 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    (I
    C
    = 100 MADC ，V
    CE
    = 1.0伏）
    集热器
    ：辐射源
    饱和电压
    (I
    C
    = 10 MADC ，我
    B
    = 1.0 MADC ）
    (I
    C
    = 50 MADC ，我
    B
    = 5.0 MADC ）
    BASE
    ：辐射源
    饱和电压
    (I
    C
    = 10 MADC ，我
    B
    = 1.0 MADC ）
    (I
    C
    = 50 MADC ，我
    B
    = 5.0 MADC ）
    小信号特性
    当前
    - 获得 -
    带宽积（我
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 20伏， F = 100兆赫）
    输出电容（V
    CB
    = 5.0伏，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入电容（V
    EB
    = 0.5伏，我
    C
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入阻抗（V
    CE
    = 10 VDC ，我
    C
    = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
    电压反馈比（V
    CE
    = 10 VDC ，我
    C
    = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
    小
    “信号
    电流增益（V
    CE
    = 10 VDC ，我
    C
    = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
    输出导纳（V
    CE
    = 10 VDC ，我
    C
    = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
    噪声系数（V
    CE
    = 5.0伏，我
    C
    = 100
    MADC ，
    R
    S
    = 1.0千欧， F = 1.0千赫）
    开关特性
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    (V
    CC
    = 3.0伏，V
    BE
    =
    −
    0.5伏，
    I
    C
    = 10 MADC ，我
    B1
    = 1.0 MADC ）
    (V
    CC
    = 3.0伏，
    I
    C
    = 10 MADC ，我
    B1
    = I
    B2
    = 1.0 MADC ）
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    −
    −
    −
    −
    35
    35
    200
    50
    ns
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    h
    ie
    h
    re
    h
    fe
    h
    oe
    NF
    300
    −
    −
    1.0
    0.5
    100
    1.0
    −
    −
    4.0
    8.0
    10
    8.0
    400
    40
    5.0
    兆赫
    pF
    pF
    kW
    X 10
    −
    4
    −
    毫姆欧
    dB
    H
    FE
    40
    70
    100
    60
    30
    −
    −
    0.65
    −
    −
    −
    300
    −
    −
    0.2
    0.3
    0.85
    0.95
    −
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    BL
    I
    CEX
    40
    60
    6.0
    −
    −
    −
    −
    −
    50
    50
    VDC
    VDC
    VDC
    NADC
    NADC
    符号
    民
    最大
    单位
    V
    CE （ SAT ）
    VDC
    V
    BE （ SAT ）
    VDC
    ns
    4.脉冲测试：脉冲宽度
    v
    300
    女士，
    占空比
    v
    2.0%.
    占空比= 2 ％
    300纳秒
    +3 V
    +10.9 V
    10 k
    275
    10 <吨
    1
    ＆ LT ; 500
    ms
    占空比= 2 ％
    t
    1
    +3 V
    +10.9 V
    275
    10 k
    0
    - 0.5 V
    ＆ LT ; 1纳秒
    C
    S
    < 4 PF *
    - 9.1 V′
    *测试夹具和连接器共有并联电容
    ＆ LT ; 1纳秒
    1N916
    C
    S
    < 4 PF *
    图1.延迟和上升时间
    等效测试电路
    图2.存储和下降时间
    等效测试电路
    http://onsemi.com
    2

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