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    MMBT3906LT1 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT3906LT1图片预览
    型号： MMBT3906LT1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管PNP硅 [General Purpose Transistor PNP Silicon]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 97 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT3906LT1的Datasheet PDF文件第7页  
    MMBT3906LT1
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    (I
    C
    = -1.0 MADC ，我
    B
    = 0)
    集电极 - 基极击穿电压
    (I
    C
    = -10
    MADC ，
    I
    E
    = 0)
    发射极 - 基极击穿电压
    (I
    E
    = -10
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    基地截止电流
    (V
    CE
    = -30伏直流，V
    EB
    = -3.0 V直流）
    收藏家Cuto FF电流
    (V
    CE
    = -30伏直流，V
    EB
    = -3.0 V直流）
    基本特征
    （注4 ）
    直流电流增益
    (I
    C
    = -0.1 MADC ，V
    CE
    = -1.0 V直流）
    (I
    C
    = -1.0 MADC ，V
    CE
    = -1.0 V直流）
    (I
    C
    = -10 MADC ，V
    CE
    = -1.0 V直流）
    (I
    C
    = -50 MADC ，V
    CE
    = -1.0 V直流）
    (I
    C
    = -100 MADC ，V
    CE
    = -1.0 V直流）
    集电极 - 发射极饱和电压
    (I
    C
    = -10 MADC ，我
    B
    = -1.0 MADC ）
    (I
    C
    = -50 MADC ，我
    B
    = -5.0 MADC ）
    基地 - 发射极饱和电压
    (I
    C
    = -10 MADC ，我
    B
    = -1.0 MADC ）
    (I
    C
    = -50 MADC ，我
    B
    = -5.0 MADC ）
    小信号特性
    电流 - 增益 - 带宽积
    (I
    C
    = -10 MADC ，V
    CE
    = -20伏直流， F = 100兆赫）
    输出电容
    (V
    CB
    = -5.0伏，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入电容
    (V
    EB
    = -0.5伏，我
    C
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入阻抗
    (I
    C
    = -1.0 MADC ，V
    CE
    = -10伏直流， F = 1.0千赫）
    电压反馈比例
    (I
    C
    = -1.0 MADC ，V
    CE
    = -10伏直流， F = 1.0千赫）
    小 - 信号电流增益
    (I
    C
    = -1.0 MADC ，V
    CE
    = -10伏直流， F = 1.0千赫）
    输出导纳
    (I
    C
    = -1.0 MADC ，V
    CE
    = -10伏直流， F = 1.0千赫）
    噪声系数
    (I
    C
    = -100
    MADC ，
    V
    CE
    = -5.0伏，R
    S
    = 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
    开关特性
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    (V
    CC
    = -3.0伏，V
    BE
    = 0.5伏，
    I
    C
    = -10 MADC ，我
    B1
    = -1.0 MADC ）
    (V
    CC
    = -3.0伏，我
    C
    = -10 MADC ，
    I
    B1
    = I
    B2
    = -1.0 MADC ）
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    -
    -
    -
    -
    35
    35
    225
    ns
    75
    ns
    f
    T
    250
    C
    敖包
    -
    C
    IBO
    -
    h
    ie
    2.0
    h
    re
    0.1
    h
    fe
    100
    h
    oe
    3.0
    NF
    -
    4.0
    60
    dB
    400
    毫姆欧
    10
    -
    12
    X 10
    - 4
    10
    kW
    4.5
    pF
    -
    pF
    兆赫
    H
    FE
    60
    80
    100
    60
    30
    V
    CE （ SAT ）
    -
    -
    V
    BE （ SAT ）
    -0.65
    -
    -0.85
    -0.95
    -0.25
    -0.4
    VDC
    -
    -
    300
    -
    -
    VDC
    -
    V
    （ BR ） CEO
    -40
    V
    （ BR ） CBO
    -40
    V
    （ BR ） EBO
    -5.0
    I
    BL
    -
    I
    CEX
    -
    -50
    -50
    NADC
    -
    NADC
    -
    VDC
    -
    VDC
    VDC
    符号
    民
    最大
    单位
    4.脉冲测试：脉冲宽度
    v
    300
    女士，
    占空比
    v
    2.0%.
    http://onsemi.com
    2

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