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    MMBT2222ALT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222ALT1G图片预览
    型号： MMBT2222ALT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 129 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MMBT2222ALT1G的Datasheet PDF文件第8页  
    MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1
    200
    100
    70
    50
    T， TIME （ NS ）
    30
    20
    10
    7.0
    5.0
    3.0
    2.0
    5.0 7.0
    10
    200 300
    20 30
    50 70 100
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    500
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    T
    J
    = 25°C
    t
    r
    @ V
    CC
    = 30 V
    t
    d
    @ V
    EB （O FF ）
    = 2.0 V
    t
    d
    @ V
    EB （O FF ）
    = 0
    500
    300
    200
    100
    70
    50
    30
    20
    10
    7.0
    5.0
    t′
    s
    = t
    s
    − 1/8 t
    f
    V
    CC
    = 30 V
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    I
    B1
    = I
    B2
    T
    J
    = 25°C
    T， TIME （ NS ）
    t
    f
    5.0 7.0 10
    20 30
    50 70 100
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    200
    300
    500
    图5.开启-On时间
    图6.打开-Off时间
    10
    8.0
    I
    C
    = 1.0毫安，R
    S
    = 150
    W
    500
    毫安，
    R
    S
    = 200
    W
    100
    毫安，
    R
    S
    = 2.0千瓦
    50
    毫安，
    R
    S
    = 4.0千瓦
    R
    S
    =优化
    R
    S
    =
    来源
    R
    S
    =
    阻力
    10
    F = 1.0千赫
    8.0
    NF ，噪声系数（dB ）
    I
    C
    = 50
    mA
    100
    mA
    500
    mA
    1.0毫安
    NF ，噪声系数（dB ）
    6.0
    6.0
    4.0
    4.0
    2.0
    0
    0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
    2.0
    0
    50
    0.5 1.0 2.0
    5.0 10
    20
    50 100
    100 200
    500 1.0 k 2.0 k
    5.0 k 10 k 20 k
    50 k 100 k
    男，频率（KHz ）
    R
    S
    ，源电阻（欧姆）
    图7.频率的影响
    F T ，电流增益带宽积（兆赫）
    图8.源电阻的影响
    30
    20
    电容（pF）
    C
    eb
    10
    7.0
    5.0
    C
    cb
    3.0
    2.0
    0.1
    500
    V
    CE
    = 20 V
    T
    J
    = 25°C
    300
    200
    100
    70
    50
    1.0
    2.0
    3.0
    5.0 7.0 10
    20 30
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    50
    70 100
    0.2 0.3
    0.5 0.7 1.0
    2.0 3.0 5.0 7.0 10
    反向电压（伏）
    20 30
    50
    图9.的电容
    图10.电流增益带宽积
    http://onsemi.com
    5

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