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MMBD914LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBD914LT1G图片预览
型号: MMBD914LT1G
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内容描述: 高速开关二极管 [High−Speed Switching Diode]
分类和应用: 整流二极管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 3 页 / 52 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBD914LT1
820
W
+10 V
2.0 k
100
mH
0.1
mF
DUT
50
W
产量
脉冲
发电机
50
W
输入
采样
示波器
V
R
90%
I
R
输入信号
i
R( REC )
= 1.0毫安
输出脉冲
(I
F
= I
R
= 10毫安;实测
在我
R( REC )
= 1.0 mA)的
I
F
0.1
mF
t
r
10%
t
p
t
I
F
t
rr
t
注意事项: 1. 2.0千瓦的可变电阻调整为正向电流(I
F
)为10毫安。
注意事项:
2.输入脉冲进行调整,使我
R(峰)
等于10毫安。
注意事项:
3. t
p
» t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
I F ,正向电流(mA )
I R ,反向电流(
m
A)
T
A
= 85°C
10
T
A
= 25°C
1.0
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= −40°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
50
V
R
,反向电压(伏)
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.001
V
F
,正向电压(伏)
图2.正向电压
图3.泄漏电流
0.68
C D ,二极管电容(PF )
0.64
0.60
0.56
0.52
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
R
,反向电压(伏)
图4.电容
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