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    MJE350 参数 Datasheet PDF下载

    MJE350图片预览
    型号： MJE350
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 塑料中功率PNP硅晶体管 [Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 134 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MJE350的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MJE350的Datasheet PDF文件第3页  
    MJE350
    200
    T
    J
    = 150°C
    25°C
    −55
    °C
    1.0
    T
    J
    = 25°C
    0.8
    V，电压（V ）
    V
    BE （ SAT ）
    @ I
    C
    /I
    B
    = 10
    0.6
    V
    BE
    @ V
    CE
    = 10 V
    的hFE ， DC电流增益
    100
    70
    50
    30
    20
    0.4
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    V
    CE
    = 2.0 V
    V
    CC
    = 10 V
    20
    30
    50
    70
    100
    200
    300
    500
    0.2
    V
    CE （ SAT ）
    0
    5.0 7.0
    10
    20
    30
    50
    70
    100
    I
    C
    /I
    B
    = 5.0
    200 300
    500
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    10
    5.0 7.0 10
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图1.直流电流增益
    图2. “开”电压
    θ
    V，温度系数（MV /
    °
    C)
    IC ，集电极电流（毫安）
    1000
    700
    500
    300
    200
    100
    70
    50
    30
    20
    10
    20
    1.0毫秒
    dc
    +1.2
    +0.8
    +0.4
    0
    −0.4
    −0.8
    −1.2
    −1.6
    −2.0
    −2.4
    −2.8
    5.0 7.0
    10
    q
    VB
    对于V
    BE
    −55
    °C
    至+ 25°C
    20 30
    50 70 100
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    200 300
    500
    *q
    VC
    对于V
    CE （ SAT ）
    *适用于我
    C
    /I
    B
    < ħ
    FE/4
    +100
    °C
    至+ 150°C
    +25
    °C
    到+ 100℃的
    100
    ms
    −55
    °C
    至+ 25°C
    +25
    °C
    至+ 150°C
    500
    ms
    T
    J
    = 150°C
    键合丝有限公司
    限热@ T
    C
    = 25°C
    二次击穿有限公司
    30
    50
    70
    100
    200
    300 400
    V
    CE
    ，集电极 - 发射极电压（伏）
    图3.有源区安全工作区
    图4.温度系数
    有对的功率处理能力两方面的局限性
    晶体管：平均结温及第二
    击穿。安全工作区曲线表明我
    C
    −
    V
    CE
    晶体管必须可靠地观察到极限
    操作;即，晶体管不能承受较大的
    功耗比曲线表示。
    图3中的数据是基于对T
    J（下PK）
    = 150_C ;牛逼
    C
    is
    可变根据条件。其次，脉细数
    限制是有效的占空比来假定T 10 ％
    J（下PK）
    v
    150_C 。在高温情况下，热限制
    将减少可处理到的值小于电源
    限制施加的二次击穿。
    20
    PD ，功耗（瓦）
    16
    12
    8.0
    4.0
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    120
    T
    C
    ，外壳温度（ ° C）
    140
    160
    图5.功率降额
    http://onsemi.com
    2

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