MJE340
32
PD ，功耗（瓦）
28
0.8
20
16
12
8.0
4.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
10
20
MJE340
0.2
IC / IB = 5.0
30
50
100
200
IC ，集电极电流（毫安）
300
500
V，电压（V ）
24
1.0
TJ = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 10 V
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
TC ，外壳温度（ ° C）
图1.电源温度降额
图2. “开”电压
有源区的安全工作区
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
10
50
70 100
200
20
30
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
300
第二击穿极限
焊线LIMIT
热极限TC = 25°C
单脉冲
TJ = 150℃
dc
1.0毫秒
10
µs
500
µs
图3. MJE340
有在电源处理的晶体管的能力，有两个限制：平均结温及第二击穿。
安全工作区曲线表明IC - 必须为可靠的运行必须遵守的晶体管的VCE限制;即，晶体管
器不能承受较大的功耗比曲线表示。
图3中的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是可变根据条件。其次，脉细数限值
有效占空比，以提供10 ％ T J （ PK）
150
_
C.在高温情况下，热限制会降低功率
可以处理到的值小于由第二击穿所造成的限制。
v
300
200
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
+100°C
+ 25°C
30
20
– 55°C
VCE = 10 V
VCE = 2.0 V
100
70
50
10
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
IC ，集电极电流（ MADC ）
70
100
200
300
500
图4.直流电流增益
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
