MJD45H11T4G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MJD45H11T4G
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内容描述：	硅功率晶体管 [SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管开关
文件页数/大小：	8 页 / 92 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MJD44H11 （ NPN ）

MJD45H11 （ PNP ）

首选设备

互补发电

晶体管

DPAK对于表面贴装应用

专为通用电源和开关如输出或

驱动器级中的应用，如开关稳压器，转换器，

和功率放大器。

特点

http://onsemi.com

•

无铅包可用

•

率先在塑料套管形成了表面贴装应用

•

（没有后缀）

直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）

铅16毫米磁带和卷轴的表面贴装形成版本

（ “ T4 ”后缀）

电类似于热门D44H / D45H系列

低集电极发射极饱和电压 -

CE （ SAT ）

= 1.0伏最大@ 8.0安培

快速开关速度

互补对简化设计

环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125

ESD额定值：人体模型， 3B

8000 V

机器型号，C

400 V

硅

功率晶体管

8安培

80伏

20瓦

记号

图表

1 2

DPAK

CASE 369C

风格1

YWW

xH11

DPAK−3

CASE 369D

风格1

=年

=工作周

= 4或5

YWW

xH11

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

PEAK

总功率耗散@ T

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散* @ T

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结温

范围

符号

首席执行官

, T

英镑

最大

0.16

1.75

0.014

-55〜

+ 150

单位

VDC

ADC

W / ℃，

°C

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

无铅焊接温度的

符号

QJC

qJA

最大

6.25

71.4

260

单位

° C / W

°C

*这些评价适用面安装在最小焊盘尺寸时，

推荐使用。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年8月 - 修订版6

出版订单号：

MJD44H11/D

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