MC34071,2,4 ，A MC33071,2,4 ，A ， NCV33072,4A
VSAT ，输出饱和电压（ V）
VSAT ，输出饱和电压（ V）
V
CC
V
CC
V
CC
-1.0
来源
V
CC
-2.0
V
EE
+2.0
V
EE
+1.0
V
EE
SINK
V
EE
0
5.0
10
I
L,
负载电流（ ±毫安）
15
V
CC
/V
EE
= +5.0 V / -5.0 V至+22 V / -22 V
T
A
= 25°C
V
CC
V
CC
-2.0
V
CC
-4.0
0.2
0.1
GND
0
100
1.0 k
10 k
100 k
V
CC
V
CC
= +15 V
R
L
= GND
T
A
= 25°C
20
R
L
，负载电阻接地（ W）
图10.分离电源输出饱和
与负载电流
图11.单电源输出饱和
与负载电阻接地
VSAT ，输出饱和电压（ V）
0
我SC ，输出电流（mA ）
V
CC
-0.4
-0.8
2.0
1.0
GND
100
1.0 k
10 k
100 k
60
50
40
来源
30
20
10
0
-55
V
CC
= +15 V
V
EE
= -15 V
R
L
≤
0.1
W
DV
in
= 1.0 V
-25
0
25
50
75
T
A
，环境温度（ ° C）
100
125
SINK
V
CC
= +15 V
R
L
到V
CC
T
A
= 25°C
R
L
，负载电阻V
CC
(W)
图12.单电源输出饱和
与负载电阻V
CC
图13.输出短路电流
与温度的关系
50
VO ，输出电压摆幅（VPP ）
ZO ，输出阻抗（
Ω
)
40
30
20
A
V
= 1000
10
0
1.0 k
A
V
= 100
A
V
= 10
A
V
= 1.0
V
CC
= +15 V
V
EE
= -15 V
V
CM
= 0
V
O
= 0
DI
O
=
±0.5
mA
T
A
= 25°C
28
24
20
16
12
8.0
4.0
0
3.0 k
V
CC
= +15 V
V
EE
= -15 V
A
V
= +1.0
R
L
= 2.0 k
THD
≤
1.0%
T
A
= 25°C
10 k
100
男，频率（Hz ）
1.0 M
10 M
10 k
30 k
100 k
300 k
男，频率（Hz ）
1.0 M
3.0 M
图14.输出阻抗
与频率
图15.输出电压摆幅
与频率
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6
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
