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    FDMS86201

     N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 120V，49A，11.5mΩ
    PC开关脉冲光电二极管晶体管
    0 ONSEMI

    MMBZ15VALYFH

     MMBZ15VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
    电子瞬态抑制二极管
    0 ROHM

    GRM033B10J183KE01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GJM1555C1H2R2WB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM2165C1H152JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    PSMN6R8-40HS

     N-channel 40 V, 6.8 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduction
    暂无信息
    1 NEXPERIA

    GCD21BC71C474KE01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    BD35395FJ-M

     BD35395FJ-M是适用于JEDEC标准DDR1/2/3/3L-SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET，漏型/源型最大可提供1A电流的线性电源。内部的OP-AMP采用高速设计，实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET，需要3.3V或5.0V偏压电源。为确保JEDEC规定的电压精度，本产品拥有独立的基准输入引脚（VDDQ）和独立的反馈引脚（VTTS），实现了优异的输出电压精度和负载调整率。Power Supply Reference BoardFor Xilinx’s FPGA Spartan-7
    驱动动态存储器双倍数据速率稳压器
    0 ROHM

    NSR15406NXT5G

     肖特基势垒二极管，1.5 A，40 V
    二极管
    0 ONSEMI

    GRM0224C1H1R8WA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCM31A5C3A470FX01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCG1555C1H5R9DA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    1 MURATA

    GRM0332C2A910JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM188Z71E225KE43#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCM1885G1H5R0DA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

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