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MC33153P 参数 Datasheet PDF下载

MC33153P图片预览
型号: MC33153P
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内容描述: 单IGBT栅极驱动器 [Single IGBT Gate Driver]
分类和应用: 驱动器MOSFET驱动器栅极驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管栅极驱动
文件页数/大小: 13 页 / 131 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MC33153
单IGBT栅极驱动器
该MC33153是专为高的IGBT驱动器
电源应用,其中包括交流感应电机控制,无刷
直流电机控制和不间断电源。虽然
设计用于驱动分立和模块的IGBT ,该器件提供了一个
用于驱动功率MOSFET和双极成本效益的解决方案
晶体管。器件的保护功能包括的选择
饱和或过流检测和欠压检测。这些
设备是在双列直插式可及表面安装封装。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
SOIC−8
ð后缀
CASE 751
1
33153
ALYW
G
高电流输出级: 1.0的源/ 2.0水槽
保护电路的传统和意识的IGBT
可编程故障消隐时间
过电流保护和短路
欠压锁定优化IGBT的
负栅极驱动能力
成本有效地推动了功率MOSFET和双极晶体管
无铅包可用
1
V
CC
6
V
CC
V
CC
短路
LATCH
S
Q
R
V
EE
过电流
LATCH
S
Q
R
短路
比较
V
CC
过电流
比较
130毫伏
65毫伏
V
CC
270
mA
V
EE
V
CC
2
当前
SENSE
1输入
GND
1
8
PDIP−8
P后缀
CASE 626
1
MC33153P
AWL
YYWWG
故障
输出7
A
=大会地点
L, WL =晶圆地段
Y, YY =年
W, WW =工作周
G
或G = Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚连接
电流检测
输入
开尔文GND
V
EE
1
2
3
4
( TOP VIEW )
8故障屏蔽/
饱和INPUT
7故障输出
6 V
CC
5驱动器输出
故障消隐/
饱和
比较
6.5 V
V
EE
故障
8消隐/
饱和
输入
V
CC
V
CC
输入
4
V
EE
产量
舞台
DRIVE
5 OUTPUT
100 k
输入
V
CC
电压
封锁
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
V
EE
12 V/
11 V
3
V
EE
该器件包含133有源晶体管。
图1.典型框图
©
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年7月 - 修订版5
出版订单号:
MC33153/D