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MC33172DR2G 参数 Datasheet PDF下载

MC33172DR2G图片预览
型号: MC33172DR2G
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内容描述: 单电源3.0 V至44 V,低功耗运算放大器 [Single Supply 3.0 V to 44 V, Low Power Operational Amplifiers]
分类和应用: 运算放大器
文件页数/大小: 16 页 / 228 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MC33171 , MC33172 ,
MC33174 , NCV33172
单电源3.0 V至44 V,
低功耗运算
放大器器
质量双极制造与创新设计概念
采用了MC33171 / 72/ 74系列单片运算的
放大器。这些设备在运行180
mA
每个放大器,提供1.8
增益带宽积MHz和2.1 V / ms的转换速率,而无需使用
的JFET器件技术。虽然这个系列可以从操作
分离电源,它特别适用于单电源操作时,由于
共模输入电压包括接地电位(V
EE
).
用达林顿输入级,这些设备表现出高输入
性,低输入偏置电压和高增益。全NPN输出
阶段,其特征在于,没有死区的交越失真和大
输出电压摆幅,提供了高容量驱动器的能力,
出色的相位和增益裕度,低开环频率高
输出阻抗和对称的拉/灌交流频率
反应。
该MC33171 / 74分之72都规定在工业/汽车
温度范围。整个系列单,双和四
运算放大器是在塑料可用的以及表面
安装包。
特点
http://onsemi.com
PDIP−8
P后缀
CASE 626
1
SO−8
D, VD后缀
CASE 751
8
8
1
14
1
PDIP−14
P, VP后缀
CASE 646
低电源电流: 180
mA
(每个放大器)
宽电源电压工作范围: 3.0 V至44 V或
±1.5
V到
±22
V
宽输入共模范围,包括地面(V
EE
)
宽带宽: 1.8 MHz的
高压摆率: 2.1 V / ms的
低输入失调电压: 2.0 mV的
大的输出电压摆幅:
−14.2
V至14.2 V
(有
±15
V电源)
大容量驱动能力: 0 pF到500 pF的
低总谐波失真: 0.03 %
出色的相位裕度: 60 °
出色的增益裕度: 15分贝
输出短路保护
ESD二极管提供输入保护的双核和四
无铅包可用
NCV前缀为汽车和其他需要现场
和控制变更
14
1
SO−14
D, VD后缀
CASE 751A
14
1
TSSOP−14
DTB后缀
CASE 948G
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第9页。
器件标识信息
查看该设备一般标识信息标识
节本数据手册的第10页上。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年10月,
9牧师
1
出版订单号:
MC33171/D