MC34071,2,4 ，A MC33071,2,4 ，A
图27.归一压摆率
与温度的关系
1.15
SR ，摆率（标准化）
1.1
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
–55
VCC = + 15V
VEE = -15 V
AV = 1.0
RL = 2.0 ķ
CL = 500 pF的
∆
V O，输出电压摆幅为0 V（ V）
图28.输出建立时间
10
1.0毫伏
10毫伏
5.0
1.0毫伏
VCC = + 15V
VEE = -15 V
AV = -1.0
TA = 25°C
补偿
无偿
1.0毫伏
10毫伏
1.0毫伏
–10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
–5.0
–25
0
25
50
75
100
125
TA ，环境温度（ ° C）
TS ，稳定时间（微秒）
图29.小信号瞬态响应
图30.大信号瞬态效应初探
VCC = + 15V
VEE = -15 V
AV = 1.0
RL = 2.0 ķ
CL = 300 pF的
TA = 25°C
50 mV /格
5.0 V / DIV
2.0
微秒/格
0
VCC = + 15V
VEE = -15 V
AV = 1.0
RL = 2.0 ķ
CL = 300 pF的
TA = 25°C
0
1.0
微秒/格
图31.共模抑制
与频率
CMR ，共模抑制（分贝）
100
80
60
40
∆V
CM
图32.电源抑制
与频率
100
PSR ，电源抑制比（分贝）
VCC = + 15V
VEE = -15 V
TA = 25°C
∆V
O
∆V
EE
+ PSR = 20日志
∆V
O / ADM
∆V
CC
∆V
O / ADM
∆V
EE
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = -55°C
VCC = + 15V
VEE = -15 V
VCM = 0 V
∆V
厘米“
±1.5
V
80
∆V
CC
60
40
20
–
ADM
+
（ ΔVCC = + 1.5V ）
–
ADM
+
+ PSR
∆V
O
20
CMR = 20日志
∆V
CM
X ADM
∆V
O
-PSR = 20日志
0
0.1
1.0
10
100
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
10 M
0
0.1
-PSR
（ ΔVEE = + 1.5V ）
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M 10 M
1.0
10
100
男，频率（Hz ）
男，频率（Hz ）
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9
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
