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MC1413DR2G 参数 Datasheet PDF下载

MC1413DR2G图片预览
型号: MC1413DR2G
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内容描述: 高电压,大电流达林顿晶体管阵列 [High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 65 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MC1413 , MC1413B , NCV1413B
最大额定值
(T
A
= 25 ℃,和等级适用于任何一台设备中的包中,除非另有说明。 )
等级
输出电压
输入电压
连续集电极电流 -
基极电流 - 连续
工作环境温度范围
MC1413
MC1413B
NCV1413B
存储温度范围
结温
热阻,结到环境
648的情况下,P后缀
751B的情况下,D后缀
热阻,结到外壳
648的情况下,P后缀
751B的情况下,D后缀
静电放电敏感度( ESD )
人体模型( HBM )
机器模型( MM )
带电器件模型( CDM)
符号
V
O
V
I
I
C
I
B
T
A
-20至+85
-40至+85
-40到+125
T
英镑
T
J
Rq
JA
67
100
Rq
JC
22
20
ESD
2000
400
1500
V
° C / W
-55到+150
150
°C
°C
° C / W
价值
50
30
500
25
单位
V
V
mA
mA
°C
电气特性
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
特征
输出漏电流
(V
O
= 50 V ,T
A
= +85°C)
(V
O
= 50 V ,T
A
= +25°C)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 350 mA时,我
B
= 500
毫安)
(I
C
= 200毫安,我
B
= 350
毫安)
(I
C
= 100毫安,我
B
= 250
毫安)
输入电流 - 在条件
(V
I
= 3.85 V)
输入电压 - 在条件
(V
CE
= 2.0 V,I
C
= 200 mA)的
(V
CE
= 2.0 V,I
C
= 250 mA)的
(V
CE
= 2.0 V,I
C
= 300 mA)的
输入电流 - 关闭状态
(I
C
= 500
毫安,
T
A
= 85°C)
直流电流增益
(V
CE
= 2.0 V,I
C
= 350 mA)的
输入电容
导通延迟时间
(50% E
I
50 %E
O
)
关断延迟时间
(50% E
I
50 %E
O
)
钳位二极管的泄漏电流
(V
R
= 50 V)
钳位二极管的正向电压
(I
F
= 350 mA)的
注意:
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
所有类型
所有类型
V
CE ( SAT )
所有类型
所有类型
所有类型
I
我(上)
MC1413 ,B
V
我(上)
MC1413 ,B
MC1413 ,B
MC1413 ,B
所有类型
I
我(关闭)
h
FE
C
I
t
on
t
关闭
I
R
V
F
50
1000
100
15
0.25
0.25
1.5
2.4
2.7
3.0
30
1.0
1.0
50
100
2.0
mA
pF
ms
ms
mA
V
0.93
1.35
V
1.1
0.95
0.85
1.6
1.3
1.1
mA
符号
I
CEX
100
50
V
典型值
最大
单位
mA
NCV1413B牛逼
= -40 ° C,T
= + 125°C 。通过设计保证。 NCV前缀是用于要求汽车和其他应用
网站和变更控制。
http://onsemi.com
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