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MC14094BDR2G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MC14094BDR2G
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内容描述: 8级移位/存储寄存器具有三态输出 [8−Stage Shift/Store Register with Three−State Outputs]
分类和应用: 移位寄存器存储触发器逻辑集成电路光电二极管PC
文件页数/大小: 10 页 / 121 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MC14094B
8级移位/存储寄存器
具有三态输出
的MC14094B结合一个8级的移位寄存器具有数据锁存
对于每个阶段,从每个锁存三态输出。
数据被移位在正时钟转变和从所述移
第七阶段,两个串行输出。在Q
S
输出数据是用于在使用中
高速级联系统。在Q
S
输出数据被移位的
以下用于低速级联负时钟跳变
系统。
从移位寄存器的每一级的数据被锁存,负
在选通输入的过渡。数据传播通过闩锁而
频闪高。
八个数据锁存器的输出通过三态缓冲器控制
其被放置在高阻抗状态,由一个逻辑低电平上
输出使能。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
PDIP−16
P后缀
CASE 648
16
MC14094BCP
AWLYYWWG
1
16
SOIC−16
ð后缀
CASE 751B
1
14094BG
AWLYWW
三态输出
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
输入二极管保护
数据锁存器
双输出的数据输出的正面和
负时钟转换
有用的串行到并行数据转换
引脚对引脚兼容CD4094B
无铅包可用*
16
TSSOP−16
DT后缀
CASE 948F
1
14
094B
ALYW
16
SOEIAJ−16
后缀f
CASE 966
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
A
WL ,L
YY, Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=无铅指标
1
MC14094B
ALYWG
最大额定值
(电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
( DC或瞬态)
输入或输出电流
每个引脚( DC或瞬态)
功耗,每包
(注1 )
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
( 8秒焊接)
价值
-0.5至18.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
500
-55到+125
-65到+150
260
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
1.温度降额:
塑料“P和D / DW”套餐: - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路,以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是,必须采取预防措施,以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
(例如,任一V
SS
或V
DD
) 。未使用的输出必须悬空。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息,请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册, SOLDERRM / D 。
1
2005年8月 - 修订版6
出版订单号:
MC14094B/D