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MBRS1100T3G 参数 Datasheet PDF下载

MBRS1100T3G图片预览
型号: MBRS1100T3G
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内容描述: 肖特基功率整流器表面贴装功率封装 [Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 49 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MBRS1100T3 , MBRS190T3
典型电气特性
I F ,正向电流(安培)
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3
T
J
= 150°C
1K
400
200
100
40
20
10
4
2
1
0.4
0.2
0.1
0.04
0.02
0.01
I R ,反向电流(
μ
A)
T
J
= 150°C
125°C
100°C
100°C
25°C
25°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
,反向电压(伏)
v
F
,瞬时电压(伏)
图1.典型正向电压
图2.典型的反向电流*
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
分组。典型的反向电流为低电压的选择可以被估计
从这些曲线中若V
R
充足低于额定V
R
.
PF ( AV ) ,平均功耗(瓦)
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
0.5
I F ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
3.2
T
J
= 100°C
2.0
DC
1.5
WAVE
DC
1.0
WAVE
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
145
150
155
160
165
170
175
180
I
F( AV )
,平均正向电流(安培)
T
C
,外壳温度( ° C)
图3.功耗
图4.电流降额,案例,每腿
典型电气特性
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
注:典型电容
注意:
在0 V = 270 pF的
C,电容(pF )
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
V
R
,反向电压(伏)
图5.典型电容
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