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MBRD835LT4 参数 Datasheet PDF下载

MBRD835LT4图片预览
型号: MBRD835LT4
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内容描述: 开关模式电源整流器 [SWITCHMODE Power Rectifier]
分类和应用: 整流二极管开关
文件页数/大小: 6 页 / 128 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MBRD835L
典型特征
T
J
= 25°C
C,电容(pF )
1000
典型
最大
100
1
10
V
R
,反向电压(伏)
图5.最大和典型电容
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
16
14.4
12.8
11.2
9.6
8
6.4
4.8
3.2
1.6
0
80
85
90
10
20
95 100 105 110 115
T
C
,外壳温度( ° C)
120
125
130
方波
dc
T
J
= 125°C
R
qJA
= 6 ° C / W
p
(阻性负载)
(电容
IPK
+
5
负载)
IAV
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
10
20
30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
T
A
,环境温度( ° C)
p
(阻性负载)
方波
T
J
= 125°C
dc
R
qJA
= 40 ° C / W
表面安装
最低推荐
焊盘尺寸
(电容
IPK
+
5
负载)
IAV
图6.电流降额,无限散热器
P F( AV )正向平均功耗(瓦
图7.电流降额
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
20
30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
T
A
,环境温度( ° C)
10
dc
T
J
= 125°C
R
qJA
= 80 ° C / W
表面安装
最低推荐
焊盘尺寸
(电容
IPK
+
5
负载)
IAV
8
7
6
5
4
20
3
2
1
0
0
1.5
4.5
6
7.5
9 10.5 12 13.5
I
F( AV )
,平均正向电流(安培)
3
15
10
T
J
= 125°C
p
(阻性负载)
方波
dc
p
(阻性负载)
方波
(电容
IPK
+
5
负载)
IAV
图8.电流降额,自由空气
图9.前向功率耗散
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