MBR4045PT
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 125°C)
每二极管
每个器件
峰值重复正向电流，
（额定V
R
，方波， 20千赫
@ T
C
= 90 ℃）每二极管
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相，
60赫兹）
峰值重复反向电流，
(2.0
女士，
1.0千赫）
存储温度范围
工作结温（注1 ）
峰值浪涌结温
（正向电流应用）
变化的电压率
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
最大
45
单位
V
A
20
40
40
A
I
FRM
I
FSM
400
A
I
RRM
T
英镑
T
J
T
J（下PK）
dv / dt的
2.0
−65
到+175
−65
到+175
175
10,000
A
°C
°C
°C
V / ms的
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会
影响器件的可靠性。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
热特性
特征
最大热阻，结到外壳
最大热阻，结到环境
条件
最小焊盘
最小焊盘
符号
R
QJC
R
qJA
最大
1.4
55
单位
° C / W
电气特性
特征
正向电压（注2 ）
(i
F
= 20 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 20 A，T
J
= 125°C)
(i
F
= 40 A，T
J
= 25°C)
(i
F
= 40 A，T
J
= 125°C)
瞬时反向电流（注2 ）
（额定直流电压，T
J
= 25°C)
（额定直流电压，T
J
= 125°C)
符号
V
F
民
−
−
−
−
−
−
典型值
0.53
0.46
0.64
0.62
0.09
30
最大
0.70
0.60
0.80
0.75
1.0
50
单位
V
i
R
mA
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2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
