MBR2535CTG ， MBR2545CTG
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 160°C)
峰值重复正向电流，
每腿二极管（额定V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 150°C)
每个二极管腿不重复峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流（ 2.0
女士，
1.0千赫）
存储温度范围
工作结温（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
ESD额定值：机器型号= C
ESD额定值：
人体模型= 3B
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
I
RRM
T
英镑
T
J
dv / dt的
ESD
价值
单位
V
35
45
30
15
30
150
1.0
−65
到+175
−65
到+175
10,000
>400
>8000
A
A
A
A
°C
°C
V / ms的
V
MBR2535CT
MBR2545CT
每个器件
每二极管
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
热特性
（每站）
特征
热阻 - 结到外壳
−
结到环境（注2 ）
2.当使用最小建议焊盘尺寸在FR - 4电路板安装。
符号
R
QJC
R
qJA
价值
1.5
50
单位
° C / W
电气特性
（每二极管）
符号
V
F
特征
正向电压
（注3）
条件
I
F
= 15安培，T
J
= 25°C
I
F
= 15安培，T
J
= 125°C
I
F
= 30安培，T
J
= 25°C
I
F
= 30安培，T
J
= 125°C
额定直流电压，T
J
= 25°C
额定直流电压，T
J
= 125°C
民
−
−
−
−
−
−
典型值
−
0.50
−
0.65
−
9.0
最大
0.62
0.57
0.82
0.72
0.2
25
单位
V
I
R
瞬时反向电流
（注3）
mA
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
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2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
