MBR1035 ， MBR1045
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MBR1035
MBR1045
平均正向电流整流
(T
C
= 135℃ ，每设备）
峰值重复正向电流，
（方波， 20千赫，T
C
= 135°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
峰值重复反向浪涌电流（ 2.0
女士，
1.0千赫）
存储温度范围
工作结温（注1 ）
变化的电压率
（额定V
R
)
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
10
I
FRM
I
FSM
I
RRM
T
英镑
T
J
dv / dt的
10,000
10
150
1.0
-65到+175
-65到+175
A
A
A
°C
°C
V / ms的
价值
单位
V
35
45
A
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.生成必须小于从结到环境的热传导热： DP
D
/ DT
J
< 1 / R
qJA
.
热特性
特征
最大热阻，结到外壳
最大热阻，结到环境
条件
分钟。垫
分钟。垫
符号
R
QJC
R
qJA
最大
2.0
60
单位
° C / W
电气特性
特征
正向电压（注2 ）
(i
F
= 10安培，T
j
= 125°C)
(i
F
= 20安培， TJ = 125°C ）
(i
F
= 20安培， TJ = 25 ° C）
瞬时反向电流（注2 ）
（额定直流电压， TJ = 125°C ）
（额定直流电压， TJ = 25°C ）
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
v
F
−
−
−
i
R
−
−
5.3
0.008
15
0.1
0.55
0.67
0.78
0.57
0.72
0.84
mA
民
典型
最大
单位
V
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2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
