LM385Z-1.2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LM385Z-1.2
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内容描述：	微功耗电压基准二极管 [MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODES]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	7 页 / 114 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

LM285 LM385 ，B

最大额定值

（ TA = 25℃ ，除非另有说明）

等级

反向电流

正向电流

工作环境温度范围

LM285

LM385

工作结温

存储温度范围

符号

- 40至+ 85

0至+70

TSTG

+ 150

- 65至+ 150

°C

价值

单位

°C

电气特性

（ TA = 25℃ ，除非另有说明）

LM285–1.2

特征

反向击穿电压（ IRmin

LM285–1.2/LM385B–1.2

TA = TLOW到大腿（注1 ）

LM385–1.2

TA = TLOW到大腿（注1 ）

最小工作电流

TA = 25°C

TA = TLOW到大腿（注1 ）

反向击穿电压随电流

IRMIN

1.0毫安， TA = + 25°C

TA = TLOW到大腿（注1 ）

1.0毫安

20 mA，且TA = + 25°C

TA = TLOW到大腿（注1 ）

LM385–1.2/LM385B–1.2

最大

1.247

1.270

–

1.0

1.5

–

民

1.223

1.210

1.205

1.192

–

典型值

1.235

–

1.235

–

8.0

–

0.6

最大

1.247

1.260

1.273

µA

–

∆V

（ BR ）R

–

∆V

（ BR ） / ΔT

–

0.6

1.0

1.5

–

PPM /°C的

µV

PPM /

山

8.0

–

单位

1.223

1.200

–

IRMIN

1.235

–

符号

V（ BR ）R

民

典型值

20毫安）

p p

反向动态阻抗

IR = 100

µA,

TA = + 25°C

平均温度系数

µA

20 mA，且TA = TLOW到大腿（注1 ）

p p

宽带噪声（ RMS）

IR = 100

µA,

10赫兹

p p

10千赫

长期稳定性

IR = 100

µA,

TA = + 25°C

0.1°C

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