LM339 ， LM239 ， LM2901 ， LM2901V ， NCV2901 ， MC3302
应用信息
这些四通道比较器具有高增益，宽带
带宽特性。这使该装置的振荡
的倾向，如果输出被电容耦合到所述
通过杂散电容的投入。这种振荡表现
输出转换期间（V
OL
到V
OH
） 。为了缓解这个
情况输入电阻< 10千瓦应该被使用。该
加入正反馈（ < 10毫伏）也
推荐使用。这是很好的设计实践与地一切
未使用的输入引脚。
差分输入电压可能比供应大
电压而不损坏比较器的输入端。
电压高于-300毫伏更负，不应使用。
+15 V
R4
220 k
6.8 k
R2
R5
220 k
*
)
R1
8.2 k
V
in
D1
10 k
V
O
V
IN（分钟）
≈
0.4 V峰值为1 ％的相位失真（ DQ） 。
V
in
V
CC
V
IN（分钟）
q
10 k
V
O
15 k
R3
10 M
*
V
in
D1防止变成负值超过0.6 V输入
R1 + R2 = R3
R3
≤
R5
在过零误差小
10
+
V
EE
V
CC
V
O
V
EE
Dq
q
图9.过零检测器
（单电源）
图10.过零检测器
（分离电源）
订购信息
设备
LM239D
LM239DG
LM239DR2
LM239DR2G
LM239DTBR2
LM239DTBR2G
LM239N
LM239NG
LM339D
LM339DG
LM339DR2
LM339DR2G
LM339DTBR2
LM339DTBR2G
包
SOIC−14
SOIC−14
（无铅）
SOIC−14
SOIC−14
（无铅）
TSSOP−14*
TSSOP−14*
PDIP−14
PDIP−14
（无铅）
SOIC−14
SOIC−14
（无铅）
SOIC−14
SOIC−14
（无铅）
TSSOP−14*
TSSOP−14*
2500 /磁带&卷轴
55单位/管
25单位/铁
2500 /磁带&卷轴
55单位/管
航运
†
†有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
6
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
