LM337
最大额定值
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
等级
输入输出电压差
功耗
CASE 221A
T
A
= +25°C
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
案例936 （D
2
PAK ）
T
A
= +25°C
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
I
−V
O
价值
40
单位
VDC
P
D
q
JA
q
JC
P
D
q
JA
q
JC
T
J
T
英镑
内部限制
65
5.0
内部限制
70
5.0
-40到+125
-65到+150
W
° C / W
° C / W
W
° C / W
° C / W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
电气特性
(|V
I−
V
O
| = 5.0 V ;我
O
= 0.5 A对于T包;牛逼
J
= T
低
给T
高
[注1 ] ;我
最大
和P
最大
[注2] 。 ）
特征
线路调整率（注3 ） ，T
A
= + 25 ° C， 3.0 V
≤
|V
I
−V
O
|
≤
40 V
负载调整率（注3 ） ，T
A
= + 25 ° C， 10毫安
≤
I
O
≤
I
最大
|V
O
|
≤
5.0 V
|V
O
|
≥
5.0 V
热调节，T
A
= + 25 ° C（注5 ） ， 10毫秒的脉冲
调节引脚电流
调节引脚电流的变化， 2.5 V
≤
|V
I
−V
O
|
≤
40 V,
10毫安
≤
I
L
≤
I
最大
, P
D
≤
P
最大
, T
A
= +25°C
参考电压，T
A
= + 25 ° C， 3.0 V
≤
|V
I
−V
O
|
≤
40 V,
10毫安
≤
I
O
≤
I
最大
, P
D
≤
P
最大
, T
J
= T
低
给T
高
线路调整率（注3 ） ， 3.0 V
≤
|V
I
−V
O
|
≤
40 V
负载调整率（注3 ） ， 10毫安
≤
I
O
≤
I
最大
|V
O
|
≤
5.0 V
|V
O
|
≥
5.0 V
温度稳定性（T
低
≤
T
J
≤
T
高
)
最小负载电流，以保持稳压
(|V
I
−V
O
|
≤
10 V)
(|V
I
−V
O
|
≤
40 V)
最大输出电流
|V
I
−V
O
|
≤
15 V ，P
D
≤
P
最大
，T包
|V
I
−V
O
|
≤
40 V，P
D
≤
P
最大
, T
J
= + 25 ° C，T包
RMS噪声， ％V的
O
, T
A
= + 25 ° C， 10赫兹
≤
f
≤
10千赫
纹波抑制，V
O
= -10 V中，f = 120赫兹（注4）
无C
ADJ
C
ADJ
= 10
mF
长期稳定，T
J
= T
高
（注6 ） ，T
A
= + 25℃
终点测量
热阻，结到外壳，T包
4
3
1, 2
3
科幻gure
1
2
符号
REG
LINE
REG
负载
−
−
REG
THERM
I
ADJ
DI
ADJ
V
REF
−
−
−
−1.21
3
−1.20
−
−
−
3
3
T
S
I
LMIN
−
−
3
I
最大
−
−
N
RR
−
66
3
S
R
QJC
−
−
60
77
0.3
4.0
−
−
1.0
−
%/1.0 k
小时。
° C / W
−
1.5
0.15
0.003
2.2
0.4
−
% V
O
dB
1.5
2.5
6.0
10
A
−
15
0.3
0.003
65
2.0
−1.25
0
−1.25
0.02
20
0.3
0.6
50
1.0
0.04
100
5.0
−1.28
7
−1.30
0.07
70
1.5
−
mV
% V
O
% V
O
/W
mA
mA
V
民
−
典型值
0.01
最大
0.04
单位
%/V
1
2
REG
LINE
REG
负载
%/V
mV
% V
O
% V
O
mA
1. T
低
给T
高
= 0° 〜+ 125 ℃，对LM337T ， D2T 。牛逼
低
给T
高
= - 40 °C至+ 125°C ，对于LM337BT ， BD2T 。
2. I
最大
= 1.5 A，P
最大
= 20 W
3.负载和线路调整是在结温恒定指定。改变V
O
由于热效应下覆盖
热调节规范。具有低占空比脉冲测试使用。
4. C
ADJ
在使用时，连接之间的调整销和接地。
在IC中的电压调节器5，功率耗散产生在模具上的温度梯度，从而影响在模具个别集成电路组件。
这些效果可以通过适当的集成电路的设计和布局技术来最小化。热调节是这些效果
温度梯度对输出电压和表示为在一个特定的时间每功率变化的瓦输出变化的百分比。
6.由于长期稳定性无法在发货前在每台设备上测量，该规范是平均一个工程估算
稳定的批次。
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2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
