LM285 LM385 ，B
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有说明）
LM285–2.5
特征
反向击穿电压（ IRmin
LM285–2.5/LM385B–2.5
TA = TLOW到大腿（注1 ）
LM385–2.5
TA = TLOW到大腿（注1 ）
最小工作电流
TA = 25°C
TA = TLOW到大腿（注1 ）
反向击穿电压随电流
IRMIN
IR
1.0毫安， TA = + 25°C
TA = TLOW到大腿（注1 ）
1.0毫安
IR
20 mA，且TA = + 25°C
TA = TLOW到大腿（注1 ）
LM385–2.5/LM385B–2.5
最大
2.538
2.585
–
–
20
30
1.0
1.5
10
20
–
–
–
–
民
2.462
2.436
2.425
2.400
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值
2.5
–
2.5
–
13
–
–
–
–
–
0.6
80
120
20
最大
2.538
2.564
2.575
2.600
µA
–
–
∆V
（ BR ）R
–
–
–
–
Z
∆V
（ BR ） / ΔT
n
S
–
–
–
–
–
–
–
0.6
80
120
20
2.0
2.5
20
25
–
–
–
–
W
PPM /°C的
µV
PPM /
山
13
–
20
30
mV
单位
V
2.462
2.415
–
–
IRMIN
2.5
–
–
–
符号
V（ BR ）R
民
典型值
p
IR
p
20毫安）
p p
p p
p p
反向动态阻抗
IR = 100
µA,
TA = + 25°C
平均温度系数
20
µA
IR
20 mA，且TA = TLOW到大腿（注1 ）
宽带噪声（ RMS）
IR = 100
µA,
10赫兹
f
p p
10千赫
长期稳定性
IR = 100
µA,
TA = + 25°C
±
0.1°C
注意事项：
1. TLOW = - 40 ℃， LM285-1.2 ， LM285-2.5
= 0 ℃， LM385-1.2 ， LM385B -1.2 ， LM385-2.5 ， LM385B -2.5
大腿= + 85°C的LM285-1.2 ， LM285-2.5
大腿
= + 70 ℃， LM385-1.2 ， LM385B - 1.2 ， LM385-2.5 ， LM385B -2.5
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
