HN1B01FDW1T1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HN1B01FDW1T1G
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内容描述：	互补的双通用放大器晶体管PNP和NPN表面贴装 [Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount]
分类和应用：	晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
文件页数/大小：	6 页 / 56 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

HN1B01FDW1T1

互补双

通用

晶体管放大器

PNP和NPN表面贴装

http://onsemi.com

特点

•

高电压和高电流： V

首席执行官

= 50 V，I

= 200毫安

高ħ

: h

= 200X400

湿度敏感度等级： 1

ESD额定值

- 人体模型： 3A

- 机型号：C

•

无铅包装是否可用

(6)

(5)

(4)

(1)

(2)

(3)

最大额定值

= 25°C)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

价值

7.0

200

单位

VDC

MADC

SC−74

CASE 318F

方式3

标记图

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

R9 M

热特性

特征

功耗

结温

储存温度

符号

英镑

最大

380

150

-55到+150

单位

°C

R9 =器件代码

M =日期代码

订购信息

设备

HN1B01FDW1T1

HN1B01FDW1T1G

包

SC−74

航运

†

3000 /磁带&卷轴

SC - 74 3000 /磁带&卷轴

（无铅）

† 。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年3月 - 第2版

出版订单号：

HN1B01FDW1T1/D

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