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ESD5Z5.0T1G 参数 Datasheet PDF下载

ESD5Z5.0T1G图片预览
型号: ESD5Z5.0T1G
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内容描述: 瞬态电压抑制器微型封装二极管的ESD保护 [Transient Voltage Suppressors Micro−Packaged Diodes for ESD Protection]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 4 页 / 111 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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ESD5Z2.5T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
P
pk
C
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
峰值功耗
马克斯。电容@V
R
= 0且f = 1 MHz的
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,V
F
= 0.9 V最大。 @我
F
= 10 mA,对于所有类型)
设备
记号
ZD
ZE
ZF
ZG
ZH
ZM
V
RWM
(V)
最大
2.5
3.3
5.0
6.0
7.0
12
I
R
(MA )
@ V
RWM
最大
6.0
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
V
BR
( V) @我
T
(注2 )
4.0
5.0
6.2
6.8
7.5
14.1
I
T
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
(V)
@ I
PP
= 5.0 A
典型值
6.5
8.4
11.6
12.4
13.5
17
V
C
(V)
@我最大
PP
最大
10.9
14.1
18.6
20.5
22.7
25
I
PP
(A)
最大
11.0
11.2
9.4
8.8
8.8
9.6
P
pk
(W)
最大
120
158
174
181
200
240
C( pF)的
典型值
145
105
80
70
65
55
设备**
ESD5Z2.5T1 , G *
ESD5Z3.3T1 , G *
ESD5Z5.0T1 , G *
ESD5Z6.0T1 , G *
ESD5Z7.0T1 , G *
ESD5Z12T1 , G *
*在“G ”后缀表示无铅封装。
**可根据要求提供其它电压。
†按照图1浪涌电流波形。
2. V
BR
测量用脉冲测试电流I
T
在25 ℃的环境温度下进行。
100
%的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
t
P
20
40
吨,时间( ms)的
60
80
图1. 8 ×20
ms
脉冲波形
http://onsemi.com
2