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型号: BU208A
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内容描述: NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 205 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BU208A
基极驱动
性能的关键
现在,控制的关断的形状的概念
基极电流被广泛接受并在水平方向施加
变形的设计。从这一事实很好的问题的根源
输出装置的饱和,以关断之前,必须AS-
sured 。这是通过提供足够多的完成
IB1 ,以满足最低的增益输出装置的hFE处的端
扫描我的CM 。最坏情况下的成分变化和最大
高电压负荷,也必须考虑到。
如果输出晶体管的基极是由一个非常低的驱动
阻抗源,关断基极电流会反向
很快,如图所示。 3.这会导致快速的,但只
部分收集器关断,因为过多的运营商成为
被困在高电阻率集电极和晶体管是
仍然导通。这是一个高功耗模式下,由于
集电极电压上升非常迅速。问题是过度
来增加了电感到基电路以减缓
如图基极电流的逆转。如图4所示,从而使AC-
在集电极塞斯载流子复合发生,而
基极电流,还在流。
选择LB通常是经验,因为做了正确的
等效电路是复杂的,并且由于有几个
重要的变量(我是CM, I B1和h ​​FE在我的CM ) 。一种方法是
积下降时间为LB的函数的,在所要求的条件下,
对的H FE说明书中的多个设备。更Infor公司
mative方法是绘制功耗与我B1的
LB的值的范围
由此可见,真正重要的参数,损耗,
无论是由开关或通过饱和。对于非常低
的LB一个很窄的最佳获得。发生这种情况时, IB1
的hFE
ICM的,因此将只对上可接受的
“典型的”设备与恒ICM 。如LB增加时,
曲线越走越奉承以上IB1 。的hFE = ICM
受到控制点为关断“尾巴” 。 Eventu-
盟友,如果LB提高得过多,消耗所有跨曲线
将上升,因开关而不是拖尾启动不良。
绘制这种类型的曲线族为不同的hFE的设备,
基本上移动曲线的左侧,或根据权利
关系IB1的hFE =常数。然后可以很明显看出,
对于一个特定的ICM ,一个LB可以选择,这将给低
消散在一定范围内的hFE和/或IB1的。唯一剩下
荷兰国际集团的决定是选择IB1高到足以容纳
规定最低的hFE的一部分。无论LB IB1也不是绝对
关键的。由于高增益摩托罗拉设备是伊赛格
gested ,一般IB1的一个较低的值被用于获得
最佳的效率 - 如。对于BU208A与ICM = 4.5 A使用
IB1 1.5 A ,在ICM = 4的使用IB1 1.2答:这些值是
比大多数竞争器件,但实际测试下
已经显示出可比效率摩托罗拉设备
甚至在IB1的更高的水平。
10的LB
µH
12
µH
应该给令人满意的操作
BU208A为4至4.5 A和ICM IB1介于1.2和
2 A.
^
[
[
测试电路波形
IB
IB
IC
(时间)
IC
(时间)
科幻gure 3
图4
测试电路优化
测试电路可被用于评估在所述设备
常规的方式,也就是说,以测量下降时间,存储时间,
和饱和电压。然而,这种电路被设计为
评估由一个简单的标准,电源输入设备。
过大的功率输入可通过各种概率的引起
题,但它是在这是基波的晶体管的耗散
精神的重要性。一旦所要求的晶体管操作
当前被确定的,固定的电路值可被选择。
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据