BSS138LT3G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS138LT3G
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内容描述：	功率MOSFET 200毫安， 50 V [Power MOSFET 200 mA, 50 V]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	5 页 / 128 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BSS138LT1

典型电气特性

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

150°C

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

，漏极电流（ AMPS ）

-55°C

25°C

= 2.5 V

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

= 2.75 V

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

，漏极电流（ AMPS ）

25°C

150°C

-55°C

图7.导通电阻与漏电流

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

5.5

4.5

3.5

2.5

1.5

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

0.45

0.5

，漏极电流（ AMPS ）

-55°C

25°C

= 4.5 V

150°C

4.5

图8.导通电阻与漏电流

= 10 V

3.5

2.5

1.5

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

150°C

25°C

-55°C

0.4

0.45

0.5

，漏极电流（ AMPS ）

图9.导通电阻与漏电流

图10.导通电阻与漏

当前

120

100

I D ，二极管电流（安培）

0.1

= 150°C

25°C

-55°C

国际空间站

0.01

OSS

RSS

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，二极管的正向电压（伏）

0.001

图11.体二极管正向电压

图12.电容

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